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鲁世斌 《数字社区&智能家居》2005,(7):56-58
API函数介于操作系统核心和Windows应用程序之间,能够直接控制和处理计算机的系统参数和硬件资源,实现许多高级功能。通过具体实例,阐述了在VB中调用API函数的方法。 相似文献
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本研究采用金属掺杂的方式调控氧空位导电细丝的电子结构以获得更好的器件性能.计算了HfO2体系中四组氧空位的形成能,得到VO4-VO23-VO34-VO46最易形成的氧空位簇;分波电荷态密度进一步表明在[010]晶向上电荷聚集形成导电通道.另外,研究了Ag、Mg、Ni、Cu、Al、Ta、Ti掺杂对该缺陷体系电子结构的影响... 相似文献
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基于区域缩减思想,集整基于精确动力刚度矩阵的频率波数域(FK)半解析方法和有限元(FE)数值方法各自优势(FK精确高效模拟一维波速结构地震波传播;FEM具有丰富单元和本构类型,可精细模拟工程结构地震反应),提出了一种从震源到工程结构全过程地震反应模拟的FK-FE混合方法。并将FK代码作为插件二次开发到大型商业有限元软件ABAQUS中,实现了ABAQUS平台下从震源到工程结构的全过程宽频地震反应物理模拟。验证了FK-FE混合方法正确性,进而将其应用于位错点源作用下美国SAC 机构设计的9层Benchmark抗弯钢框架结构全过程0 Hz~15 Hz宽频地震反应模拟,重点探讨了地壳层波速结构和近地表场地条件对框架结构地震反应的影响。研究表明:地壳层速度结构和场地类别对该结构的地震反应均有显著影响,地壳层速度结构3(较硬)相比速度结构1(较软),结构最大位移和层间位移角分别减小了22.7%和62.0%;Ⅱ类场地相较于Ⅳ类场地,结构最大位移和层间位移角分别减小了22.3%和44.7%。
相似文献5.
基于OrCAD/PSpice10.5的电子电路仿真 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍利用OrCAD/PSpice10.5实现电子电路仿真的方法,并以具体电子电路为例,阐述了OrCAD/PSpicel0.5在电子电路中的应用.为电子电路的设计和开发提供一个新的平台。 相似文献
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基于OrCAD/PSpice10.5的电子电路仿真 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍利用OrCAD/PSpice10.5实现电子电路仿真的方法,并以具体电子电路为例,阐述了OrCAD/PSpice10.5在电子电路中的应用,为电子电路的设计和开发提供一个新的平台。 相似文献
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基于VB的Windows API函数应用 总被引:1,自引:0,他引:1
鲁世斌 《数字社区&智能家居》2005,(21)
API函数介于操作系统核心和Windows应用程序之间,能够直接控制和处理计算机的系统参数和硬件资源,实现许多高级功能。通过具体实例,阐述了在VB中调用API函数的方法。 相似文献
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本文在对传统CMOS带隙电压基准电路的分析上,综合一阶温度补偿,电流反馈和电阻二次分压的技术整个电路采用CHARTER 0.35um CMOS工艺实现,采用MentorGraphics的Eldo工具进行仿真,结果表明该电路具有低温度系数和高电源抑制比. 相似文献
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研究了氟(F)离子对硅化学机械抛光速率的促进作用。抛光结果显示, 加入2.5% (质量比) 的氟化钾 (KF) 到硅溶胶基碱性抛光液中能够使抛光速率提高57.7%。为了揭示其作用机理, 通过测试硅在KF碱性溶液中的开路电位和极化曲线分析了电化学反应过程, 其结果表明F离子不仅能够溶解硅钝化层还能增加极化电流, 当KF浓度为2.5% (质量比), 硅的腐蚀电流密度可达44.5μA/cm2。光电子能谱和接触角的进一步测试表明, F离子的加入减少了硅在碱性水溶液中的氧化物生成, 并使得抛光后表面接触角达到93.2°, 形成强疏水的表面。结合Pietsch提出的无F条件下硅在碱溶液中原子去除模型, 分析了在有F条件下硅的抛光机理。这种机理可以给开发硅衬底高速抛光液提供解决思路。 相似文献
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