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磁控反应溅射制备的Ta2O5薄膜的光学与介电性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用直流磁控反应溅射技术,在不同的Ar/O2比条件下制备了系列Ta2O5薄膜样品,采用紫外.可见光透射光谱和椭偏光谱测试分析技术,研究了Ta2O5薄膜在可见光范围内的透射率、折射率和消光系数;同时还采用HP 4192A阻抗分析仪测试分析了样品在500Hz~13MHz频段的介电谱,结果表明在300~700nm的可见光波长范围内,氧化钽薄膜的消光系数k→0,折射率>2.0,透射率大约80%。500Hz下的低频介电常数5的典型值为20.1。损耗角正切tgδ为19.9。 相似文献
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采用脉冲激光沉积法,室温条件下在透明导电玻璃衬底上制备了Bi_(3.95)Er_(0.05)Ti_3O_(12)(BErT)薄膜。研究结果表明,低沉积氧气压下制备的BErT薄膜表面致密,平整无裂缝,且呈非晶结构;当沉积氧气压为3Pa时,BErT薄膜厚度约为180nm,表现出优秀的介电性能,即当测试频率为1kHz时,室温介电常数为52,介电损耗为0.025。同时,BErT薄膜的介电性能随频率、电压和温度的变化比较稳定,在可见光区间具有较高的透过率。 相似文献
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采用直流磁控溅射技术,首先在玻璃衬底上制备Mo薄膜,然后制备CuIn预制层。以固态硒粉为硒源,采用硒薄膜法和硒蒸气法两种硒化工艺,经过三步升温硒化方式对CuIn预制膜进行硒化制备CuInSe2薄膜。通过X射线衍射、能量散射谱和扫描电镜测试分析手段,分析CuIn预制膜和每一步硒化热处理后薄膜结构和形貌的变化。结果表明:两种方法硒化后均形成具有单一黄铜矿相结构的CuInSe2薄膜,薄膜具有(112)面择优取向,硒蒸气法形成的晶粒较大,但均匀性差。 相似文献
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文章在分析电子科学与技术专业原教学计划实施过程中相关问题的基础上,结合学院的办学特色和办学条件,制定了该专业新的教学规范和各主要教学环节的教学质量标准,并对新教学计划中课程设置的变化进行了分析说明. 相似文献
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通过磁过滤等离子沉积技术,在不同衬底负偏电压下(0~-80V)制备四配位氢化非晶碳薄膜(ta-CH),通过紫外-可见吸收光谱(UV)测定薄膜的微结构和光学带隙.通过血小板粘附实验研究了不同微结构ta-CH薄膜的抗凝血性能,在扫描电镜(SEM)下观察血小板形态、聚积变形等情况,统计血小板粘附数量.并以美国PolyMedica公司生产的、临床应用最好的抗凝血生物材料"聚碳酸酯聚胺酯(Phrono flex)"作阴性对照,以最差的玻璃作阳性对照进行对比实验.实验结果表明在不同的负衬底偏压条件下制备的a-CH薄膜,其sp3含量不同,抗凝血性能也不同.在衬底负偏电压为-20V下制备的ta-CH薄膜,具有优良的抗凝血液性能. 相似文献