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采用砷化镓 76mm 0 .7μm离子注入 MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓 DPDT单片射频开关(以下简称单片开关 )。该单片开关面积 1 3 1 0 μm× 1 2 5 0 μm,总栅宽 3 6mm,工作频率 DC~ 2 GHz,1 GHz下插入损耗 IL小于 0 .5 2 d B,隔离度 ISO大于 1 7d B,驻波 VSWR≤ 1 .3 ,2 GHz下 IL小于 0 .7d B,ISO大于 1 1 d B,驻波≤ 1 .3 ,反向三阶交调 PTOI优于 64 d Bm,1 W射频信号下的栅漏电小于 2 0 μA。连续五批共 60片的统计结果表明 ,该单片开关圆片上芯片的直流成品率最低 84 % ,最高 96% ;微波参数成品率在 75 %~ 86%之间 ,代表着国内 Ga As单片电路成品率的最高水平 相似文献
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报道了利用离子注入技术研制出一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关。该产品在82 0~ 95 0 MHz下 ,插入损耗≤ 0 .4 d B,回波损耗≥ 1 9.5 d B,反向三阶交调截距点≥ 67d Bm,隔离度≥ 1 5 .5 d B,控制电压为 (0 ,+4 .75 V) 相似文献
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Si^+注入GaAs及其退火中SiO2包封的作用 总被引:1,自引:0,他引:1
对Si^+注入GaAs的前后及其退火的前后用和不用SiO2包封进行了对比实验。包封退火大大提高了注入离子的激活率;在包封退火的情况下,光片注入的要比贯穿注入的载流子分布窄。所以,光片注入后包封退火较实用,它使载流子分布窄,激活率高。 相似文献
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进行GaAs MESFET的热电子应力试验,在24V≤VDS≤28V,-5.5≤VGS≤-4V的应力条件下,热电子效应将导致GaAs MESFET直流参数的严重退化。退化模式主要表现为饱和漏电流如s减小,跨导gn减小,夹断电压Vp增大,击穿电压增大。从微波性能方面来看,热电子效应器件的输出功率增益大幅度下降。退化机理主要是栅漏区表面及栅边缘俘获负电荷。 相似文献
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通过不同GaAs MMIC的MIMSi3N4电容结构,运用TDDB理论研究分析了斜坡电压下的MIM Si3N4电容的导电特性和击穿特性,确定了GaAs MMIC的MIM Si3N4电容失效不是介质本征击穿导致失效,而主要是由Si3N4介质的缺陷引起。基于缺陷导致介质电场击穿的原理,提出了等效厚度模型评估和监测GaAs MMIC的Si3N4介质电容的质量和可靠性的新方法,可以用于工艺生产线实现对Si3N4介质电容的质量和可靠性进行快速评估和监测。 相似文献
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对移动通信用单刀双掷开关制作工艺中的 Ga As全离子注入技术进行了实验比较和讨论 ,认为 76mmGa As圆片经光片注入 Si离子后包封 40 nm Si O2 +60 nm Si N进行快速退火再进行 B离子注入隔离和器件制作的工艺方法先进、工艺简便、表面物理性能好、产品成本低、重复性和均匀性好、成品率高及器件性能优良。 相似文献
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钮利荣 《固体电子学研究与进展》2001,21(1):115-116
在 2 0世纪的最后 1 0年 ,一门崭新的学科——纳米科学诞生了。中国电子学会为进一步推动和交流我国纳米技术的研究与开发成果 ,于 2 0 0 0年 1 1月 2 7日至 1 2月 1日 ,在厦门召开“第一届全国纳米技术与应用学术会议”。与会者超过一百人 ,论文近百篇 ,除特邀报告外 ,分成纳米电子学与纳米器件 ;纳米材料与纳米结构 ;微电子机械系统 (MEMS) ;纳米加工与测量技术 ;纳米科学技术的基础研究等五个部分 ,进行分组宣读和讨论。会议共评选出了 1 3篇优秀论文。会议气氛热烈 ,与会者除来自高校和研究所外 ,还有很多厂家及多个著名上市公司前来… 相似文献