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采用Sol Gel法 ,在Pt TiO2 Si基片上制备了具有不同铅过量 (0— 2 0mol% )的PLZT铁电薄膜。分析了薄膜的晶相结构 ,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响。结果表明 ,各薄膜均具有钙钛矿型结构 ,且各薄膜均呈 (110 )择优取向。PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变。铅过量为 10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能。 相似文献
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合成了一种新的酒石酸钽配合物。经元素分析、IR、~1H NMR、TGA 和 X-射线粉末衍射确定其组成为 Ta-(Tar)_5·H_2O(Tar=酒石酸负1价阴离子)。晶体结构属正交晶系。空间群为 P2_12_12或 P2_12_12_1;a=7.793(9)(?).b=10.674(2)(?),c=7.622(4)(?);Z=1。理论密度 D_x=2.081,实验密度 D=2.053。品质因子 F_(30)=62(0.009,53) 和 M_(20)=43。 相似文献
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