某型防空导弹半实物仿真训练模拟系统设计

目前,某型战术防空导弹是我军主要野战防空兵器,具有技术先进、命中率高、机动性强等优点,但由于装备昂贵和一次性使用的特点,不易开展大量实装训练,以致影响了装备形成战斗力.文中运用系统仿真技术,针对防空部队某型防空导弹操作人员日常操作训练的需要,考虑部队实际应用环境和条件,设计了用于某型防空导弹操作训练的基于Pc(Personal Computer)的半实物仿真训练模拟系统,主要阐述了系统设计需求分析、系统体系结构设计,以及实现该半实物仿真训练模拟系统涉及的主要难点和关键技术,为最终实现该系统奠定了基础.     

基于字典学习的非线性降维方法

目前,众多的数据降维（Dimensionality reduction, DR）方法（如经典的PCA（Principle component analysis）, ISOMAP（Isometric mapping））能够使降维后的数据保留原始信号的重要特征,但是从降维后的数据中很好地恢复出原始信号仍旧是一个挑战.近年来,稀疏表示（Sparse representation, SR）在信号重构研究中受到广泛关注,信号可以利用过完备字典中少数原子的线性组合来描述.本文提出一种基于字典学习的非线性降维方法.从高维输入信号到低维特征的降维过程中,期望一些重要的几何特征（内积、距离和夹角）得以保留,同时又能够从低维数据中恢复出原始信号.为达此目的,本文采用CDL（Concentrated dictionary learning）算法训练一个字典对（高维字典D和低维字典P）,使高维原始信号的能量能够聚集于低维子空间中.字典D用来获取稀疏表示系数,字典P是D的直接降维采样,CDL算法能够保证P聚集D中的大部分能量.这样,信号的降维与恢复问题就转变为字典对的训练问题,信号的降维即为从D到P的能量保留过程.实验表明:CDL可在RIP（Restricted isomery property）条件的限制之外具有一定的信号重建能力,能在更低的维度条件下恢复图像,优于传统的压缩感知方法.此外,在噪声较大的情况下,CDL图像压缩效果优于JPEG2000.     

插入NiCr合金层对SnO2/Ag/SnO2多层结构透明导电薄膜热稳定性的影响

室温下通过磁控溅射技术制备了SnO2/Ag/SnO2(SAS)、SnO2/Ag/NiCr/SnO2(SANS)和SnO2/NiCr/Ag/NiCr/SnO2(SNANS)三类多层膜.采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、霍尔效应测量仪和紫外-可见分光光度计研究了大气和真空退火温度与薄膜结构、形貌和透明导电性...     

基于VXI总线的复杂装备自动检测系统开发模式研究

分析了大型复杂装备的自动检测系统硬件结构、软件组成,详细讨论了通用检测平台的数据结构、功能组成,研究并提出了一利快捷、高效、高可靠性的开发模式.     

RTSI实时系统集成总线及其编程控制

本文介绍了利用集成于PXI总线中的RTSI总线技术,实现了多板之间严格的同步功能,结合实例阐述了采用Labwindows/CVI测控软件控制RTSI总线的方法.     

某型地空导弹操作训练模拟器的评估系统设计

文章针时地空导弹半实物仿真训练模拟器的评估系统的设计问题,首先分析了此类训练评估的特点,然后确立了评估思想,选择了适当的评估方法.最后结合某型地空导弹半实物仿真训练模拟器硬件结构,综合运用数据采集、接口、模糊综合评判等技术,设计了该评估系统的软、硬件结构.     

时滞系统的模糊变结构控制

针对传统串级控制的不足,提出一种关于时滞系统的模糊变结构控制.该方法不仅可以克服副环干扰对系统的影响,而且对主环参数变化和干扰具有较强的鲁棒性.由于主控制器采用了多模结构,不仅保持了串级系统中主环的细调功能,还提高了系统的响应能力.最后将所设计的控制器用于负荷为300MW机组的锅炉的过热汽温系统,仿真结果证明了其有效性和正确性.     

开放式电路板测试系统的开发模式

针对大型复杂电子装备电路板测试系统的开发问题,提出了一种开放式开发模式.采用此开发模式,首先构建开放式测试系统,并通过扩充测试需求库和测试流程库、设计和配置接口适配电路、编制测试和故障诊断子程序等开放式开发,扩展系统对新UUT的测试功能.     

基于虚拟仪器的电源监测系统

分析电源的5个指标（电压偏差、频率偏差、谐波、电压波动和闪变、三相不平衡度）,提出一种基于LABVIEW的电源监测系统。从电压互感器和电流互感器的次级引入输入信号,形成适宜于模数转换器处理的电压信号,经过抗混叠滤波器,滤去高频的干扰噪声,在经过采样保持,A/D转换,将采集数据送PC处理,最终完成计算分析、显示、存储及打印等功能。     

反应磁控溅射法制备F掺杂ZnO(FZO)薄膜的结构和透明导电性能

以Zn/ZnO/ZnF2混合物为靶材,在衬底温度(Ts)为150℃和300℃、溅射气氛为Ar+O2和Ar+H2下反应溅射制备F掺杂ZnO(FZO)薄膜,研究气体流量、Ts以及溅射气氛对薄膜结构及透明导电性能的影响.结果表明:对于Ar+O2下制备的FZO薄膜,Ts=300℃时有利于制备出具有(002)择优取向、结晶度高、压应力低且透明导电性能较好的薄膜.对于Ar+H2下制备的薄膜,Ts增大到300℃虽然提高了薄膜结晶度和透光性,降低了压应力,但薄膜厚度明显降低,薄膜导电性能变差.比较两种气氛下制备的FZO薄膜,发现Ar+H2下制备的薄膜可在150℃和0.8～3.2 mL·min-1的H2流量范围内得到更好的透明导电性能(电阻率为3.5×10-3Ω·cm,可见光平均透光率为87％).讨论Ar+H2气氛时H等离子的刻蚀作用与H掺杂、A r+O 2气氛时O离子的轰击作用与薄膜氧缺陷的变化、Ts升高时沉积原子反应活性与迁移能力增强以及Eg与载流子浓度的关系.