排序方式: 共有2条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
将线锯切割单晶硅的锯口形状近似为半圆槽,并将其理解为由许多平行于锯丝轴向的离散表面组成,建立了固结磨料线锯切割单晶硅模型。通过保持锯丝两边锯切材料去除率的对称性,在单晶硅的(100)、(110)和(111)三个晶面,选择不同的锯丝切入方向,从理论上分析了各向异性对线锯切割硅片质量的影响。分析得出:锯切(100)晶片和(110)晶片时, 锯丝切入方向的改变不影响硅片表面质量;锯切(111)晶片时, 选择[110]、[1]10]、[011]、[011]、[101]和[101]晶向进行锯切,可有效提高晶片的全局平面度,降低晶片表面法线偏移量,降低硅片翘曲度,提高硅片表面质量。实验验证了分析的正确性。 相似文献
2.
1