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本文从热力学角度,通过计算机计算,研究了SiH_4—SiCl_4—H_2及SiH_4—IICl—H_2混合硅源气相生长硅晶体体系的平衡状态。给出了不同配比的混合硅源沉积硅的产率和产率随温度、压力等控制参数变化的图解。根据准平衡理论计算了混合源体系中硅的沉积速率,计算结果与有关实验数据具有一致性。我们还进一步提出了一系列有关混合硅源生长硅晶体工艺的参考意见。 相似文献
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SiCl_4外延生长硅晶体中碳沾污的热力学分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用热力学计算方法对引起SiCl_4外延生长硅晶体中碳沾污的三个来源作了较详细的分析.所得结果对外延硅中SiC沾污问题的认识,外延工艺和H_1、SiCl_4原材料制备及提纯工艺的改进将有一定的参考意义. 相似文献
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根据相平衡原理导出相图中紧邻相区的不同的相的总数Φ与相区的共同相边界的维数R_1之间的对应关系规则: R_1=(N-Z-γ)+2-Φ+K应用这个规则可以系统地说明一、二和三元各类相图中紧邻相区及其共同相边界的关系。 相似文献