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(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3/LaNiO3薄膜的射频磁控溅射制备和性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频磁控溅射技术,以LaNiO3(LNO)作为过渡层,在SiO2/Si(100)、Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上分别获得了(100)、(110)取向的(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3(PLT)铁电薄膜.研究了LNO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)和LNO/SiO2/Si(100)基底对PLT薄膜微结构和铁电性能的影响.实验结果表明,与在LNO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上沉积的(110)取向的PLT薄膜相比较,在LNO/SiO2/Si(100)基底上沉积的高度(100)取向的PLT薄膜具有更好的微结构和更高的剩余极化强度,其2Pr为40.4μC/cm2. 相似文献
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采用射频磁控溅射技术,在室温溅射、后续退火条件下,以PbO为过渡层,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备出具有完全钙钛矿结构的(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3(PLT)铁电薄膜;比较了在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上有无PbO过渡层的PLT薄膜的微结构和铁电性能。实验结果表明,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上增加PbO过渡层提高了PLT薄膜的相纯度,并且所制备的PLT/PbO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)薄膜具有优良的介电和铁电性能,其剩余极化强度Pr为21.76μC/cm2,室温热释电系数p为2.75×10-8C/cm2.K。 相似文献
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利用射频磁控溅射技术,以PbOx为过渡层,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上,采用原位溅射技术制备了高度(100)取向的[(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3/Pb(Zr0.20Ti0.80)O3]n(n=1,2){筒记为[PLT/PZT]。)多层铁电薄膜,研究了层数对多层铁电薄膜介电性能和铁电性能的影响。研究得出,(100)取向的PbOx,过渡层导致了[PLT/PZT]。多层铁电薄膜的(100)择优取向;高度(100)择优取向的[PLT/PZT]2薄膜具有更大的剩余极(2Pr=31.45μC/cm)和更好的“蝴蝶”状C-V曲线。这些研究结果表明,所制备的(100)取向的[PLT/PZT]2多层铁电薄膜具有优良的铁电性能。 相似文献
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