Pb(Zr,Ti)O_3铁电场效应晶体管的制备及性能研究

采用PLD（PulsedLaserDeposition）工艺制备Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构．这种结构的铁电场效应晶体管（FFET）的电性能由I－V和C－V特性表征．Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构的C－V曲线表现为极化开关，对应500nmPZT，记忆窗口约3V．实验表明Au／PZT／SiO2／Si栅结构实现了铁电体场效应存储性能．     

铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟

文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管（FEMFET）的I-V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念巳不再适用，由于铁电层反偏偶极子的开关作用，自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化，并由直观原型的方法得到了验证。     

低温制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜及其性能研究

采用脉冲激光沉积技术（PLD）在（100）p-Si衬底上,低温淀积、快速退火成功地制备了具有完全钙钛矿结构的多晶PZT铁电薄膜,所制备的PZT铁电薄膜致密、均匀,表现出良好的介电和铁电性能,其介电常数和介电损耗100kHz下分别为320和0.08,剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为14μC/cm^2和58kV/cm,＋5V电压下漏电流密度低于10^-7A/cm^2。10^7次极化反转后剩余极化仅下降10％,具有较好的疲劳特性。     

硅衬底上铁电薄膜的自偏压异质结效应

本文运用半导体能带理论探讨了硅衬底上铁电薄膜的异质结效应的物理模型．对用sol－gel工艺制备的PZT／Si结构的极化特性、开关特性和I－V特性的实验研究证实了这种效应．     

巨磁电阻读出磁头

用巨磁电阻（GMR）材料构成的磁电子学新器件,已开始在计算机存储领域成功地获得了应用,本文介绍了用于计算机硬件磁盘驱动器的巨磁电阻磁头,描术字它的工作原理、性能特点及研究现状和发展趋势。     

高性能荧光灯电子镇流器

1.引言 电子镇流器不仅具有起动电压低(可在120V左布起动荧光灯)、功率因数高(可达0.95以上)、无频闪和噪声、体积小、质量小和安全可靠等优点,而且可以提高荧光灯的光效,节电效果显著,是取代传统的电感镇流器的理想的节能装置。近几年来,我们先后研制成功了具有高性能价格比的荧光灯电子镇流器系列产品,受到有关电子镇流器专业生产厂家和用户的好评。     

纳米硅微结构的测量与控制

文章应用电化学方法获得了纳米硅微粒材料。通过TEM的分析测算,知其平均粒度在2－5nm之间。在暗室中,能见其萤光辐射。并在同一溶液中,采用不同电流密度和反应时间,制作了不同的硅微粒薄膜样品;利用基于分形理论和计算机图像处理技术的软件,对样品电镜照片的图像灰度值进行计算及数据处理,求得了相应样品的分形参数,找到了分形参数随微粒大小及密度而变化的规律。提出了获得均匀一致、粒径可控的纳米硅材料的新方法。     

Au/PZT/p-Si结构铁电存储二极管的制备及其性能

采用准分子脉冲激光沉积 (PL D)工艺 ,制备了 Au/ PZT/ p- Si结构铁电存储二极管 .在氧气氛 35 0℃低温沉积、原位 5 30℃快速退火工艺条件下 ,获得了多晶纯钙钛矿结构的 Pb (Zr0 .5 2 Ti0 .48) O3(PZT)铁电薄膜 . PZT薄膜的铁电性能测试显示较饱和的、不对称的电滞回线 ,其剩余极化和矫顽场分别为 13μC/ cm2和 48k V/ cm.从C- V和 I- V特性曲线观察到源于铁电极化的回滞现象 ,记忆窗口约 1.1V,+4 V偏压下电流密度为 3.9× 10 - 6 A/cm2 .     

一种模拟温度补偿晶体振荡器补偿参数自动设置系统

介绍了一种采用快速获取数据方法的模拟温度补偿晶体振荡器 (ATCXO)的补偿参数自动设置系统。该系统通过快速测量和计算 ,自动生成补偿网络参数。经过试验和测试分析 ,在 - 10～ +6 0℃温度范围内 ,AT切 TCXO的频率稳定度达到± 0 .5 ppm,同时极大地提高了 TCXO的生产效率、降低了生产成本。     

MF(I)S结构设计对硅基铁电薄膜系统C-V特性的影响

为制备符合铁电场效应晶体管（ Ｆ Ｆ Ｅ Ｔ） 及铁电存储二极管（ Ｆ Ｍ Ｄ） 要求的高质量铁电薄膜,采用 Ｐ Ｌ Ｄ （ Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 工艺, 制备了不同 Ｍ Ｆ （ Ｉ） Ｓ 结构的硅基铁电薄膜系统由 Ｃ－ Ｖ特性的对比分析可见, 影响 Ｃ－ Ｖ 特性的主要因素除了衬底类型、界面特性之外, 还有薄膜的结构设计在此基础上, 为改善铁电薄膜的 Ｃ－ Ｖ 特性提出了合理设想.