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1.
Mg2+离子对Sr2Al2SiO7∶Eu2+荧光体微结构及发光性能的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用复合胶体喷雾工艺制备了Sr2Al2SiO7∶Eu2 荧光体及掺入Mg离子后Sr2-xMgxAl2SiO7∶Eu2 (x=0.1, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1.0)荧光体.XRD分析及晶格常数计算结果表明,Eu2 离子部分取代Sr2 格位进入Sr2Al2SiO7晶格.Sr2Al2SiO7∶Eu2 荧光体激发谱由峰值位于326nm附近的宽带构成,属于Eu2 的4f→5d 跃迁吸收带;发射光谱主峰位于约500nm,属于Eu2 离子4f65d→4f7跃迁导致的宽带发射.XRD结果表明Mg2 添加浓度从x=0.1~1.0增加,Mg2 离子以取代离子形式进入Sr2Al2SiO7晶格.Mg2 离子添加浓度x=0.1时对Sr2Al2SiO7∶Eu2 发射光谱影响不大,Sr1.9Mg0.1Al2SiO7∶Eu2 0.02发射主峰仍位于500nm;x>0.2后,Mg2 离子取代Sr2 离子使晶体场强度减弱,Eu2 离子5d能级晶场劈裂减小,导致Sr2-xMgxAl2SiO7∶Eu2 发射峰蓝移至460nm.  相似文献   
2.
采用复合胶体喷雾工艺制备了Sr2Al2SiO7:Eu^2+荧光体及掺入Mg离子后Sr2-xMgxAl2SiO7:Eu^2+(x=0.1,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0)荧光体。XRD分析及晶格常数计算结果表明,Eu^2+离子部分取代Sr^2+格位进入Sr2Al2SiO7晶格。Sr2Al2SiO7:Eu^2+荧光体激发谱由峰值位于326nm附近的宽带构成,属于Eu^2+的4f→5d跃迁吸收带;发射光谱主峰位于约500nm,属于Eu^2+离子4f^65d→4f^7跃迁导致的宽带发射。XRD结果表明Mg^2+添加浓度从x=0.1~1.0增加,Mg^2+离子以取代离子形式进入Sr2Al2SiO7晶格。Mg^2+离子添加浓度x=0.1时对Sr2Al2SiO7:Eu^2+发射光谱影响不大,Sr1.9Mg0.1Al2SiO7:Eu0.02^2+发射主峰仍位于500nm;z〉0.2后,Mg^2+离子取代Sr^2+离子使晶体场强度减弱,Eu^2+离子5d能级晶场劈裂减小,导致Sr2-xMgxAl2SiO7:Eu^2+发射峰蓝移至460nm。  相似文献   
3.
YAG∶Ce Phosphors for WLED via Nano-Pesudoboehmite Sol-Gel Route   总被引:2,自引:0,他引:2  
Whitelight emittingdiodes(WLED)arepoised forrevolutionizingtheluminescencelightingindustry,andhavethepotentialofreplacingtheconventionalin candescentanddischarge column typefluorescent lampsforhighefficiency,longlifetime,nopollution,fullsolid statelampetc.Todate,theblueLEDchip combinedwithyellowceriumdopedyttriumaluminum garnetphosphors(YAG∶Ce)isthemostcommonpat terntoproducewhitelight[1].Traditionally,theYAGphosphorispreparedby solid statereactionsusingsolidchemicalsofY2O3and Al2O3ass…  相似文献   
4.
镍电解液用P204萃取除铜   总被引:8,自引:4,他引:8  
以P204为萃取剂,从镍电解液中萃取除铜。研究了pH、相比(O/A)、P204体积浓度和振荡时间对萃取效果的影响,确定了P204萃取铜的最佳条件。结果表明:随着pH的升高,铜的萃取率增大;相比(O/A)越大萃取分离效果越好;随着P204体积浓度的升高,铜萃取率也相应的升高。室温下P204萃取铜的最佳工艺条件:P204的体积浓度15%,相比(O/A)1∶2,水相初始pH2.0,振荡时间3 min。在此最佳条件下,待处理液的一级萃取率达81.33%。反萃实验中反萃率可达84.97%。  相似文献   
5.
铝碳阳极薄冰铝石胶体陶瓷环保型抗氧化涂层   总被引:1,自引:1,他引:1  
低成本无污染陶瓷涂层技术在传统冶金工业中的应用日益得到重视,铝预焙阳极消耗与铝生产成本和环境污染密切相关。结合电化学、布多尔反应、空气燃烧、炭渣、二次反应碳阳极消耗机理,对化学和气相薄膜沉积法、等离子热喷涂法、胶体陶瓷涂层法进行了讨论,分析了薄冰铝石胶体陶瓷涂层法在铝电解技术特别是铝碳阳极氧化防止上的适用性。  相似文献   
6.
添加剂对阴极电铜表面质量的影响   总被引:5,自引:1,他引:4  
研究明胶、硫脲、十二烷基磺酸钠、丙烯基硫脲及阿维同-A等作为添加剂,对阴极铜表面质量的影响。通过目则和金相显微观察对其影响效果进行了评价。结果表明:十二烷基磺酸钠和阿椎同-A的作用效果相似,丙烯基硫脲也能明显改善电铜表面质量,有望成为铜电解工艺中的添加剂。  相似文献   
7.
采用电沉积方法制备了含镍39.3%~74.8%的NixFey软磁合金箔,并研究了其微结构对磁性能的影响。XRD结果显示NixFey中Fe进入Ni晶格形成固溶体型合金。随着Fe含量y由39.3%增大到55.2%,NixFey晶粒度由48nm减小到23nm;Fe含量增大至y>55.2后形成长程无序的非晶态NixFey合金。Fe含量增大使NixFey合金由(200)织构向(111)织构转变,导致磁导率随Fe含量的增大而增大。晶粒度减小及(111)取向相对增强导致矫顽力随Fe含量增大而增大。  相似文献   
8.
采用电沉积方法制备含镍39.3%~74.8%的NixFey软磁合金箔,研究其微结构对磁性能的影响。XRD结果显示NixFey中铁进入镍晶格形成固溶体型合金。随着铁含量y由39.3%增大到55.2%,NixFey晶粒度由48 nm减小到23 nm。铁含量增大至y>55.2%后形成长程无序的非晶态NixFey合金。铁含量增大使NixFey合金由(200)织构向(111)织构转变,导致磁导率随铁含量的增大而增大。晶粒度减小及(111)取向相对增强导致矫顽力随铁含量增大而增大。  相似文献   
9.
拟薄水铝石胶溶过程参数及胶团结构   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究工业拟薄水铝石的胶溶过程的工艺参数及其胶体颗粒表面的特性.测定了以稀硝酸为胶溶剂的酸分散指数,在n(H )/n(AlOOH·nH2O)=0.097时拟薄水铝石可以完全胶溶,所得到的溶胶pH值为3.4,TEM观察胶粒为网联的近球形,大小约为20~50 nm.通过胶溶过程中电导率的变化和胶体的红外光谱分析,间接表征了胶溶过程中拟薄水铝石胶粒的表面基团的变化.基于多核配合物平衡浓度与pH值的关系分析了胶核形成机理,对胶团的表面电荷特性和双电层结构进行了讨论.  相似文献   
10.
复合溶胶凝胶法制备TiB2可湿性阴极涂层   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对铝工业阴极和阳极碳电极以及侧壁耐蚀导电二硼化钛陶瓷涂层技术,研究用非有机溶剂湿化学陶瓷清洁制造技术,替代沥青粘结工艺。通过氧化铝胶体中的纳米粒子,分散清洁二硼化钛,形成均匀陶瓷悬浮涂料,经刷涂或喷涂形成TiB2涂层。对二硼化钛与工业铝电解体系熔体、气相的化学侵蚀性进行了理论计算,分析了炭基TiB2涂层的耐蚀性、捕获钠的机理。用SEM分析了二硼化钛涂层断面,二硼化钛在氧化铝胶粒的分散下,迁移、渗入多孔的碳基底,在热处理条件下,与基底间形成很强的化学键合,可形成微米至数毫米厚、无龟裂的涂层。涂层的电性能检测结果表明,浆料中氧化铝胶体含量为 10%Wt时电阻率较低,电阻率随烧结温度升高而降低。  相似文献   
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