用拉曼散射谱与远红外反射谱研究Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)四元混晶的长波光学声子

报道了 MBE外延生长的 Gax In1 - x Asy Sb1 - y四元混晶的拉曼散射谱与远红外反射谱 ,并从拉曼散射谱中观察到了 Gax In1 - x Asy Sb1 - y四元混晶的晶格振动四模行为 ;从实验中还观察到低于 180 cm- 1的若干散射峰 ,提出它们可能是与次近邻原子间相互作用的晶格振动模式有关 ;从拉曼散射谱和红外反射谱中观察到了与 Gax In1 - xAsy Sb1 - y四元混晶多声子吸收过程的有关的现象     

低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响

利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜. 双晶X射线衍射证明其为闪锌矿结构，晶格参数为0.5683nm，据此推导出其Mn含量为7%. 磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K. 观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响，发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度，可以达到115K.     

钇铝石榴石上Mn-Co-Ni-O薄膜的制备及其相关特性表征

利用化学溶液法在具有良好导热性和红外透过性的钇铝石榴石单晶衬底上成功制备了具有单一尖晶石相的Mn1.56Co0.96Ni0.48O4薄膜.傅里叶红外光谱测试表明薄膜在2.5~5μm波段具有明显的吸收带.通过研究其电阻-温度关系并利用最近邻跳跃模型进行拟合,得到薄膜的特征温度约为2 530 K,室温下的负电阻温度系数约为-3.66%K-1.     

Hg1—xCdxTe禁带宽度附近折射率增强效应

用红外椭圆偏振光谱测量了室温下Hg1-xCdxTe(x=0.276,0.309,0.378)体材料位于禁带宽度之下、附近和之上的折射率。对每一种组份样品均观察到明显的折射率增强效应。折射率峰值所对应的能量位置近似等于其带宽度。禁带宽度之上折射率皮长λ变化可用Sellmeier色散关系n^2(λ)=a1 a2/λ^2 a3/λ^4 a4/λ^6进行拟合。     

Hg_(1- x)Cd_x Te禁带宽度附近折射率增强效应

用红外椭圆偏振光谱测量了室温下 Hg1 - x Cdx Te(x=0 .2 76 ,0 .30 9,0 .378)体材料位于禁带宽度之下、附近和之上的折射率 .对每一种组份样品均观察到明显的折射率增强效应 .折射率峰值所对应的能量位置近似等于其禁带宽度 .禁带宽度之上折射率随波长 λ变化可用 Sellmeier色散关系 n2 (λ) =a1 + a2 / λ2 + a3/ λ4+ a4/ λ6进行拟合 .     

退火诱导MgZnO薄膜(220)晶向晶化性质的研究

采用激光脉冲沉积法(PLD)在石英玻璃上成功制备了一系列MgZnO薄膜。并通过选用高Mg含量的靶材,成功将薄膜的吸收边调节至极紫外区域(200～280nm),经计算MgZnO薄膜的带隙高达5.46eV。进一步研究这种高Mg含量的MgZnO薄膜的结构特性,对薄膜进行了热退火处理,并首次观察到依赖于退火温度变化的(220)取向衍射峰的变化。     

一种直驱风力发电机定子扇形片的冲压和叠压方法

国内大型电机定子铁心采用扇形片的方式,由于硅钢片材料自身的轧制工艺,材料一般都是中间厚两边薄,冲压的扇形片会有不同程度的厚薄差异,叠压后铁心在周向和径向上会有不同程度的高低波浪,通过选取典型的几个点,测量材料的厚度,进行成台配卷;结合扇形片的外形,设计合理的套裁方案;利用自动送料线连续送料、计数落料的功能,有规律地落料,设计混片装箱工艺和冲片叠压工艺,消除叠压时的高低差,不需要进行剪片叠在冲片中间。     

谈市场要求与企业产品标准的深化改革

由于社会向前发展,计划经济向市场经济转变,人们不再满足过去的市场,已形成新的市场要求,而市场要求的变化,必然影响企业的生产活动,企业产品标准只有及时适应企业生产活动的变化,才能使企业在新的市场要求下立于不败之地。     

铁合金产品国家标准中存在的问题

1 概述 铁合金产品国家标准自1987年全面清理整顿发布实施以来,至今已有7年多了,在这7年多产品标准的执行过程中,随着社会体制的不断变革,市场经济的不断发展,以及生产技术的不断进步和用户需求的不断变化,铁合金产品国家标准愈来愈不适应生产发展和市场经济的需要,出现了许多亟待解决的问题,本文将就这些问题作一些探讨并提出几点建议。     

调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结磁输运研究

通过低温和高磁场下的磁输运测量,首次在Ａｌ０．２２Ｇａ０．７８Ｎ／ＧａＮ异质结中观察到了舒勃尼科夫－德哈斯振荡的双周期特性,发现在Ａｌ０．２２Ｇａ０．７８Ｎ／ＧａＮ异质结的三角势阱中产生了二维电子气（２ＤＥＧ）的第二子带占据,发生第二子带占据的阈值２ＤＥＧ浓度估算为７．２＊１０＾１２ｃｍ＾－２,在阈值２ＤＥＧ浓度下第一子带和第二子带能级的距离计算为７５ｍｅＶ。