沉积温度和氢气浓度对CVD法合成Ti3SiC2涂层的影响

以TiCl₄-CH₃SiCl₃-H₂-Ar作为前驱体体系,石墨片为基底,采用化学气相沉积法(CVD)制备了Ti₃SiC₂涂层,研究了沉积温度和氢气浓度α的变化对涂层沉积速率的影响,通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱分析仪(XPS)对涂层形貌及组成进行了分析。研究结果表明：在1 273～1 373 K,涂层沉积速率随温度上升而增加;在1 373～1 423 K,涂层沉积速率随温度上升而减小。当α为40%～50%时,涂层沉积速率随α增加而减小;α为50%～70%时,涂层沉积速率随α增加而增加。当温度为1 373 K,α为50%时,涂层以Ti₃SiC₂相为主,呈板状结构。基于微观形貌及组成分析的结果,提出了TiCl₄-CH₃SiCl₃-H₂-Ar作为前驱体体系制备Ti<...     

ICVI工艺参数对碳/碳复合材料快速均匀致密化的影响

为了研究碳/碳(C/C)复合材料的快速均匀致密化工艺,参考工业天然气的成分,以92％甲烷(CH4)、5％乙烷(C2H6)、3％丙烷(C3H6)组成的混合气作为前驱体,在沉积温度为1075℃时,采用等温化学气相渗透(ICVI)工艺,在不同系统压力和滞留时间下对16和26 mm两种厚度的碳纤维针刺预制体进行120 h致密化...