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对科技型中小企业实施员工持股的模式及股权的谅地进行了分析,提出了适合我国目前多数科技型中小企业进行股权改制应参考的基本原则。 相似文献
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在实现水下航行器的智能化,优化弹道,提高技战性能等方面,水下航行器热动力装置采用闭环控制相对于开环控制具有明显的优势。该文以新型多速制燃料流量闭环控制水下航行器热动力系统为原型,研究了基于EASY5的水下航行器热动力系统建模与仿真,建立了仿真对象的数学模型和规范的模块化仿真模型,进行了水下航行器热动力系统设计工况(稳态)、启动过程及变工况的实时仿真。通过将仿真结果与水下航行器台架试验数据进行对比分析,结果表明,所建立的模型较为完整、准确,仿真运行可靠,研究成果满足工程需求。 相似文献
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本采用误差反向传播算法(BP)通过图像预测物体重量,先对图像进行特征提取,再用BP算法进行训练,建立了图像识别重量模型。利用水杯图像相关资料建立了数据库,由水杯图像的特征因素作为样本对网络进行训练,并用训练好的网络预测未知水杯重量。由实例表明,该方法在测物体重量中是可行的,误差较小,为物体重量预测提供了一种新思路和新方法。 相似文献
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A single-stage flyback driving integrated circuit (IC) for light-emitting diodes (LEDs) is proposed. With an average primary-side current estimation and negative feedback networks, the driver operates in the boundary conduction mode (BCM), while the output current can be derived and regulated precisely. By means of a simple external resistor divider, a compensation voltage is produced on the ISEN pin during the turn-on period of the primary MOSFET to improve the line regulation performance. On the other hand, since the delay time between the time that the secondary diode current reaches zero and the turn-on time of the MOSFET can be automatically adjusted, the MOSFET can always turn on at the valley voltage even if the inductance of the primary winding varies with the output power, resulting in quasi-resonant switching for different primary inductances. The driving IC is fabricated in a Dongbu HiTek's 0.35μm bipolar-CMOS-DMOS process. An 18 W LED driver is finally built and tested. Results show that the driver has an average efficiency larger than 86%, a power factor larger than 0.97, and works under the universal input voltage (85-265 V) with the LED current variation within ±0.5%. 相似文献
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在全球碳减排的背景下,航空业面临着严峻的减碳压力,应用生物航油是航空业减碳的有效措施。本文在梳理生物航油产业发展的历程和当前全球供需格局、国内外规制和鼓励政策、影响生物航油产业发展的重要因素的基础上,从生物航油产业链角度出发分析了其产业结构,原材料的稳定获取及价格影响因素等,提出了我国发展生物航油产业既有紧迫性、又要兼顾国情实际的要求:一是,在政策层面要坚持“以我为主”立足国内需求,同时兼顾国际形势需要;二是,推动国内企业加快形成与规划要求相一致的生物航油生产能力,保障国内供应;三是,引导业内企业有序发展,推动行业资源整合,培育行业龙头企业,提高我国生物航油产业的发展水平;四是,坚持深入开展生物航油科技的自主研发,加强国际合作,提高我国生物航油产业在全球的影响力。 相似文献
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基于Double RESURF 700VBCD工艺平台,提出了一种夹断电压可调的高压结性场效应管(J-FET)。这种J-FET的夹断是通过栅源反偏引起的N阱(N-well)表面耗尽和衬源反偏引起的底部耗尽共同作用结果,故夹断电压可受J-FET的栅电位调制。同时通过改变高压J-FET的P型埋层(P-buried)掩膜窗口的大小和间距,来改变P-buried和N-well的杂质浓度分布,达到改变J-FET夹断电压的目的。在不增加工艺步骤和改变原有工艺条件的情况下,通过实验得到击穿电压大于700V,夹断电压在8V和17V之间可自由调整的高压J-FET器件。该器件可以作为启动器件和供电模块的线性调整器件使用。由于其夹断电压受P-buried注入版图尺寸的影响,同时受栅电位调制,所以可以满足线路设计者的不同要求。 相似文献
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