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反红外薄膜在太阳能利用、节约能源等方面有着广泛的应用,这种薄膜对热辐射的红外波段具有高的反射率,而对可见光又有相当高的透射率。考虑到大量生产的可行性,我们选择铜为制备反红外薄膜的原材料,采用自制的“S”枪制备了反红外薄膜。一些参数的测定表明,成膜条件,特别是基板温度和气压对薄膜的导电率和红外反射率有很大的影响。用扫描俄歇谱仪对薄膜成分分析的结果表明:高红外反射率的铜膜中铜原子浓度较高,红外反射率较低的铜膜中含有较多的氧和碳。 相似文献
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作者用圆形磁控溅射装置,在氩和氮的混合气氛下淀积氮化钛薄膜。卢瑟福背散射谱和俄歇电子谱分析表明薄膜的化学配比为TiN。X射线衍射仪和透射式电子显微镜分析显示此种薄膜为多晶结构,晶粒大小为50~200埃。分光光度计测量结果表明在0.5~16微米波长范围内,它的光学反射率与纯金薄膜相似。氮化钛薄膜的电阻率为40~100微欧·厘米,它和N~+硅(电阻率为0.001欧姆·厘米)的接触电阻为6×10~(16)欧姆·厘米~2,和p型硅(电阻率为0.05欧姆·厘米)的接触电阻为6×10~(-3)欧姆·厘米~2。 相似文献
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本文介绍用直流平面磁控溅射方法制备In_2O_3导电薄膜,以该导电薄膜为缓冲层,在硅衬底上沉积YBCO高温超导薄膜。用大直径平面磁控溅射,原位退火方法制备YBCO超导薄膜,用In_2O_3缓冲层来减少YBCO薄膜和Si衬底之间的相互扩散。所制得的YBCO高温超导薄膜的零电阻温度为81K,转变温度为98K,用X光衍射(XRD)方法来分析其微结构,结果表明其微观结构是C轴择优取向。用俄歇微探针(AES)来研究YBCO和In_2O_3、In_2O_3和Si之间的相互扩散情况,结果表明In_2O_3导电缓冲层基本上阻挡住YBCO和Si之间的相互扩散。 相似文献
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利用“S”枪磁控油射源,采用单靶磁控溅射原位退火技术,详细研究了YBCO(YBaCuO的简缩)高温超导薄膜质量与主要工艺参数之间的关系。XRD分析表明,典型条件制备的膜具有C轴择优取向织构,RBS分析表明,此时的膜具有基本上1:2:3的理想组份。 相似文献
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用“S”枪磁控反应溅射制备TiN、ZrN和三元化合物(Ti、Zr)N薄膜。这些薄膜的电阻率在40~190μΩ·cm范围。它们与n~+型硅的接触电阻在10~(-3)~10~(-6)Ω·cm~2量级;与P型硅的接触电阻为10~(-3)Ω·cm~2量级。与n型硅形成的肖特基势垒高度为0.39V。TEM分析显示三种氮化物薄膜均为多晶结构。RBS、SAM和XRD的分析都表明TiN和ZrN薄膜作为防止铝/硅互扩散阻挡层所能承受的最高温度是600℃,(Ti、Zr)N为550℃。 相似文献
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本文从可压缩气体动力学出发,推导得到原(分)子团束中的原(分)子速度,从而算得原(分)子团的动能。作者用自己设计的离化集团束装置产生银原子团,并用圆筒型静电偏转能量分析器CAD—127测量了银原子团的能量。由此得到从1650K的高温坩埚喷口经绝热膨胀所形成的银原子团中含300~500个银原子的原子团约占60%。作者还用扫描俄歇微探针(SAM)分别研究了银蒸汽、银原子团、离化银原子团三种束流淀积于硅片时,银原子沿平行于硅片平面所作的迁移运动,发现三种束流中的银原子有明显不同的迁移长度。实验还表明;由这三种束流淀积形成的银膜同基体的结合力和金—半接触特性也有所不同。 相似文献
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