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1.
该文设计了一种单通道TD-SCDMA射频拉远单元。首先根据系统要达到的性能指标要求,设计了系统拓扑结构,接着从该系统拓扑结构出发,分析了整个系统的设计思路及实现方案,选择相应的电路模块。测试结果表明设计的系统达到了预期的指标,临近通道功率比小于-40.64 dBc和误差向量幅度为5.08%rms。 相似文献
2.
该文参考了带隙基准电压源领域的现阶段技术,结合自偏置共源共栅电流镜以及适当的启动电路、补偿电路,设计了一种高精度、低温漂的多输出带隙基准电路。首先简述了传统带隙电压基准的基本原理,然后详细阐述了具体的各电路设计过程。该基准电压源可广泛应用于电源管理芯片等对能耗要求极高的芯片中。 相似文献
3.
设计了一种新型的缺陷接地结构(DGS)并将之应用到倒扣集成毫米波振荡器中.分析并比较了具有DGS结构和没有DGS结构的两种振荡器性能.测试数据显示具有DGS结构的振荡器与没有DGS结构的振荡器相比,相位噪声降低4~6dB,输出功率增加0.8dBm.研究结果表明DGS结构嵌入到振荡器的谐振电路和输出端时,振荡器的相位噪声降低且输出功率增大. 相似文献
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该文介绍了一款应用于38 GHz的大功率超宽带功率放大器。电路设计中采用了键合线连接裸片与微带电路,并对该部分单独进行电磁场仿真。采用渐变微带线的方法实现了宽带匹配,通过HFSS与ADS的联合仿真优化设计,完成了大功率宽频带的功率放大器设计和仿真过程,仿真结果表明在频率38 GHz范围内增益(8.5±1) dB,1 dB压缩点输出功率为48 dBm最大饱和功率为49.5 dBm。 相似文献
5.
我们采用低温等离子体CVD技术在金属表面成功地淀积了BN-SiN复合陶瓷薄膜。并用BF-1型薄膜附着力测定仪测试了它的结合力,以及用俄歇电子能谱(AES)分析其成键状态。结果表明:这种薄膜与基体之间具有较强的Fe-B键结合力。 相似文献
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一种采用新型复合沟道GaN HEMTs低噪声分布式放大器 总被引:1,自引:1,他引:0
设计研制了一种新型的低噪声分布式放大器,采用了栅长为1μm的低噪声复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT (CC-HEMT). 给出了低噪声分布式放大器的仿真和测试结果. 测试结果显示低噪声分布式放大器在2~10GHz频率范围内,输入和输出端口驻波比均小于2.0,相关增益大于7.0dB,带内增益波纹小于1dB . 在2~6GHz频率范围内,噪声系数小于5dB;在2~10GHz频率范围内,噪声系数小于6.5dB; 测试结果与仿真结果较吻合. 相似文献
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程知群张志维刘国华孙昊蔡勇 《微波学报》2019,35(2):34-37
基于GaN HEMT 提出了一种3.5GHz 频率的高效率混合EF 类功率放大器。采用输出端并联谐振电感来补偿晶体管的输出电容,提高了混合EF类功放的工作频段,使其能在3.5GHz 频率下达到高效率。使用简单的微带传输线构成谐波控制和匹配网络,满足混合EF类功放基波、奇次谐波和偶次谐波的阻抗特征,同时完成与50Ω负载阻抗的匹配。测试结果显示,在3.3 ~ 3.8GHz 频段内,在1dB压缩点处输出功率达到40dBm,漏极效率75%~79%,增益11.5~12.3dB。 相似文献
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9.
GaAs MMIC MESFET混频器性能比较 总被引:1,自引:1,他引:0
给出了几种 Ga As MESFET单片混频器结构与芯片测试结果比较。实验表明 ,在相同本振功率激励下 Ga As MMIC双栅混频器具有良好变频特性 ,栅混频器指标次之 ,漏混频器结构最简单 ,但变频特性不如前两种。另外 ,单片巴仑双平衡混频器具有高的动态范围和宽频段工作特点。 相似文献
10.
设计研制了一种新型的低噪声分布式放大器,采用了栅长为1μm的低噪声复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT).给出了低噪声分布式放大器的仿真和测试结果.测试结果显示低噪声分布式放大器在2~10GHz频率范围内,输入和输出端口驻波比均小于2.0,相关增益大于7.0dB.带内增益波纹小于1d8.在2~6GHz频率范围内,噪声系数小于5dB;在2~10GHz频率范围内,噪声系数小于6.5dB;测试结果与仿真结果较吻合. 相似文献