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采用苯胺、(NH4)2S2O8、CrCl3等为原料,合成了Cr(Ⅲ)离子掺杂导电聚苯胺。合成的最佳合成条件为:反应温度在0~4℃下,苯胺和与(NH4)2S2O8摩尔比为1:1,搅拌4.5小时,加入CrCl3物质的量为苯胺的30%。样品的IR光谱、UV/Vis光谱测试结果表明,掺入Cr(Ⅲ)离子的聚苯胺中,苯醌环特征振动峰出现了35cm-1的移动;在UV/Vis吸收光谱中,掺入Cr(Ⅲ)离子后发生了15nm的红移。样品DSC和TG热分析表明,合成产物在200℃开始出现热分解。用四探针电阻仪测试样品的电导率大于1S/cm,是一种很有希望用于全印制电路技术中的新材料。 相似文献
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运用有限元数值分析法对三种PCB散热结构,分别是芯片下方的PCB中埋置铜块(PCB-II型)、PCB底部压合铜板(PCB-III型)、PCB中间加入导热铝层(PCB-IV型)进行稳态、瞬态热分析、热阻分析以及不同对流系数下的热分析,并与不经过散热处理的PCB参照组(PCB-I型)进行对比。结果显示:在稳态和瞬态热分析中,II型、III型、IV型较参照组PCB-I型板面最高温度分别降低了3.22,9.66,7.86℃,其中III型升温幅度最平缓,II型与III型在10~30 s温度差距小,在30 s后逐渐拉大;在改变对流系数时,III型散热效果最好,而II型随着对流系数增加散热效果趋近于IV型。 相似文献
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低热膨胀系数的钴具有取代铜成为下一代集成电路互连金属的前景而备受关注。本文研究了不同表面活性剂对电沉积钴析氢的影响,分别使用了阴离子表面活性剂十二烷基硫酸钠、阳离子表面活性剂三乙醇胺和非离子表面活性剂聚乙二醇、N-甲基吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮。通过霍尔槽电镀实验及电化学测试方法分析了不同表面活性剂对电沉积钴的影响,并探究了表面活性剂对镀层质量的影响。使用金相显微镜和扫描电子显微镜观察镀层,通过接触角测试仪探究不同表面活性剂对镀层的润湿性。对比实验表明,表面活性剂能够抑制析氢并可有效改善电沉积钴镀层质量。 相似文献
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悬空引线的制作是挠性印制线路板制作的难点之一,需要在基材的某些区域蚀刻掉PI(聚酰亚胺)基材来满足设计的要求。目前采用的在基材上开窗口的方法有机械冲切、数控铣、化学试剂蚀刻法和等离子蚀刻法等。其中,等离子蚀刻法加工精度高、操作简便、清洁环保,但由于运行成本相对较高使其生产应用受到了限制。本文通过正交设计试验优化等离子蚀刻PI的参数,以达到充分利用气体、缩短等离子蚀刻时间的目的,从而大大降低等离子蚀刻过程的成本。并最终完成悬空引线的制作。 相似文献
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