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本文设计了一款二进制增益控制,带有直流失调消除(DCOC)电路以及AB类输出buffer的可编程增益放大器。该放大器采用二极管连接负载的差分放大器结构,电路性能对温度变化及工艺偏差不敏感。根据测试,通过6位数字信号控制,电路可以实现-2dB ~ 61dB的增益动态范围,增益步长1dB,步长误差在 0.38dB以内,最小3dB带宽为92MHz,在低增益模式下,IIP3可达17dBm,1dB压缩点可达5.7dBm。DCOC电路可使该放大器应用于直接变频接收机中,而AB类输出buffer则降低了电路的静态功耗。 相似文献
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采用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备了MgxZn1-xO(x=0.23)薄膜,用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、喇曼(Raman)光谱和原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的结构特性.XRD和HRTEM分析结果表明MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,且具有沿c轴的择优取向,晶格常数与ZnO晶体的近似相等.Raman光谱不仅揭示MgxZn1-xO薄膜具有六角纤锌矿结构,而且也表明MgxZn1-xO薄膜的结晶质量比在相同条件下制备的ZnO薄膜好.AFM图像则显示出MgxZn1-xO薄膜为多晶结构. 相似文献
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ZnO薄膜材料的发光特性 总被引:2,自引:0,他引:2
回顾了最近几年对ZnO薄膜材料发光特性的研究进展,介绍了用不同方法制备ZnO薄膜的自发辐射和受激辐射发光特性。 相似文献
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Zn1-xMgxO透过率高、带隙可调,且与CIGS太阳电池在晶格和能带结构上匹配良好,可用作CIGS太阳电池缓冲层、窗口层,因此制备高质量的Zn1-xMgxO薄膜是提高太阳电池性能的关键。文章介绍了Zn1-xMgxO薄膜的结构特性、光学特性及制备方法;从Mg含量、Zn1-xMgxO膜厚及Zn1-xMgxO/CIGS界面处缺陷密度等方面概述了Zn1-xMgxO用于CIGS太阳电池的研究进展,并比较了Zn1-xMgxO与In2S3,ZnS,CdS等其他材料作缓冲层的CIGS太阳电池性能的差别。 相似文献
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采用射频磁控溅射的方法在硅衬底上生长出高质量的Mg0.16Zn0.84O薄膜.用X射线(XRD)、原子力显微镜(AFM)分别研究了在200、400、600和800℃下空气中退火2h的Mg0.16Zn0
84O薄膜的结构、表面形貌.结果表明,Mg0.16Zn0.84O薄膜是六角纤锌矿结构,具有沿与衬底垂直的C轴的择优取向;随着样品退火温度的升高,(002)衍射峰强度明显增强,衍射峰半高宽(FWHM)由0.86°单调地降低到0.40°,晶粒大小明显增大,最大的高达400nm以上.用TV1900型双光束紫外可见分光光度计测量了淀积在蓝宝石衬底上的Mg0.16Zn0.84O薄膜室温的透射谱,得到可见光区的平均透过率约为95%,进而估算出Mg0.16Zn0.84O薄膜的带隙宽度约为3.58eV. 相似文献