弛豫铁电体Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3的相变

测量了(1-x％)镁铌酸铅-x％钛酸铅(1≤X≤11)(简称PMNTx)陶瓷样品的介电常数、内耗和Young’s模量．观测到在Tm温度附近，即在介电常数达到最大值时，出现一个内耗峰，并且模量发生软化．这反映了极化纳米微畴的弛豫．对于PMNTx(5≤x≤11)的样品，在Tm温度以下的某个温度出现附加的内耗峰和Young’s模量的异常，表明样品中发生了自发的弛豫铁电到铁电(简称R-F)的相变，对R-F相变的机制进行了讨论．     

PbZr0.52Ti0.48O3陶瓷材料的微结构和疲劳性能研究

先给出了PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)陶瓷材料在低温下变温XRD分析结果，证明了超晶格的出现与材料的微结构变化有关。测试了该样品在低温下的疲劳性能。与超晶格出现以前相比，其疲劳寿命有所提高，这对于PZT材料的应用有着重要的意义。     

动态力学及介电法研究蓖麻油丙烯酸酯共聚网络悬挂链的弛豫运动

用动态力学（内耗）和介电方法研究了由蓖麻油（ｃａｓｔｏｒｏｉｌ）、甲苯二异氰酸酯（ＴＤＩ）、丙烯酸羟乙酯（ＨＥＭＡ）组成的网络（Ａｉ）和由正己醇取代Ａ网络中部分ＨＥＭＡ组成的网络Ｂｉ（ｉ＝０，１，２，３）两种网络的内耗及介电损耗，内耗峰强度随悬挂链数目增加而升高，证实了网络破坏后形成的悬挂链的运动对内耗及介电损耗峰高有明显的贡献。     

过掺杂区Y123体系的低温内耗研究

制备了部分Ca替代Y的Y1-xCaxBa2Cu3O7-δ样品，以及通过高温淬火获得了具有不同氧含量的Y0.85Ca0.15Ba2Cu3O7-δ系列陶瓷样品。用双端振动簧法研究了从室温至液氮温区的音频内耗谱。结果表明，未掺杂的YBa2Cu3O7-δ（Y123）)在220K附近有一个内耗峰(记为P3)，随着Ca含量的增加，P3峰的强度逐渐受到了抑制，而峰位稍向低温移动．对于以0．15的Ca替代Y的Y123样品，通过高温淬火减少氧含量，P3峰由抑制逐渐恢复，P3峰依赖于载流子的浓度，在过掺杂区P3峰受到抑制，这表明P3峰与高温超导欠掺杂区的异常有关，进一步的分析认为，P3峰很可能联系于欠掺杂区载流子的异常行为。     

复合体材料CuFe2O4-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3的内耗和介电损耗

用传统的固相反应方法制备了CuFe2O4-Pb(Mg1／3Nb2／3)O3复合体材料陶瓷，用X射线衍射确定了复合体材料中各相的存在．用双端振动簧法研究了样品在-200—400℃的音频内耗谱，在37．6℃发现一个很大的内耗峰P1，并伴随着约9％的模量的软化，表明了相变的存在．在室温下，测量了介电常数ε′和介电损耗tanδ随频率变化的关系；同时，测量了复合体材料的介电常数和介电损耗随温度的变化关系，进一步验证P1峰由立方到四方的相变引起．最后给出样品的磁滞回线。     

Cu－Al－Zn－Ni合金中与界面运动有关的内耗

用静电激励法和压电组合振子法测量了Ｃｕ－Ａｌ－Ｚｎ－Ｎｉ合金中与界面粘滞运动有关的内耗行为，导出了与界面粘滞运动有关的内耗公式．得到了形状记忆合金中对记忆效应起重要作用的参数（加粘滞系数、钉扎力常数等）     

层状钙钛矿铁电材料的畴结构研究

利用电子显微镜比较研究了SrBi_2Ta_2O_9(SBT),Bi_3TiTaO_9(BTT),Bi_4Ti_3O_12(BTO),Bi_3.25La_0.75Ti_4O_12(BLT),SrBi_4Ti_4O_15-Bi_4Ti_3O_12(SBTi-BT)和SrBi_4Ti_4O_15-Bi_3.25La_0.75Ti_3O_12(SBTi-BLT)各自的畴结构和形态,并讨论了可能的相关机制.研究结果发现:90°畴的形态和密度各不相同,均受材料本征的内应力影响;90°畴界密度较高的材料对应的疲劳性也较好.     

NiTi形状记忆薄膜的溅射制备及晶化热处理工艺

用磁控溅射法制备了NiTi非晶薄膜。薄膜无形状记忆效应。研究了经不同晶化热处理后的形状记忆效应,获得的最佳晶化热处理条件为500－700℃范围内晶化0．5h。     

与铁电、弛豫铁电相变及畴界有关的内耗和介电损耗

在ＫＤＰ、ＴＧＳ中，Ｔｃ附近分别观测到两个内耗（Ｑ－１）和介电损耗（Ｄ）峰，在ＬＮＰＰ中观测到相应的两个内耗峰，Ｐ１峰起源于二级相变的涨落效应，而Ｐ２与畴有关．考虑到Ｔｃ附近序参量以及由之而引起的畴界密度和畴界运动的粘滞系数随温度的显著变化，计算了与畴界运动有关的内耗和介电损耗，并和实验结果进行了比较．在弛豫铁电体ＰＭＮ—ＰＴ中，Ｔｃ以下也观测到相应于Ｐ２峰的内耗和介电损耗峰，考虑到畴界运动和其它一些因素，对该峰进行了讨论