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空芯玻璃微球表面改性及其介电性能研究 总被引:4,自引:2,他引:4
采用直流磁控溅射法对空芯二氧化硅微球表面镀Ni薄膜,利用扫描电镜对镀Ni膜微球形貌进行观察。结果表明获得了金属Ni包覆的玻璃微球。将镀Ni膜微球与高分子粘合剂混合制得人工介质材料,在一定频率范围内,测试其介电常数,并采用有效媒质理论对测试结果进行了分析。研究结果表明,在体积分数一定的情况下,介质材料的有效介电常数eeff随膜厚的增加而增加。eeff随着镀Ni微球体积分数的增加而增加,其实验值与有效媒质理论的C—M公式计算值较好地吻合。 相似文献
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通过对粉末冶金法制备Wp/AZ91镁基复合材料的热变形行为分析,发现该复合材料非常敏感于应变速率.随应变速率升高,真应力-真应变曲线特征从“平缓”型向“锯齿”型转变,材料热变形软化特征增强.材料的软化作用一方面来自基体合金自身的再结晶软化,另一方面来自第二相的强化所引发的再结晶软化.通过微观组织观察发现低应变速率下,材料内析出相呈板条状,而高应变速率下,材料内析出相呈细小短棒状和棱柱状弥散析出,强化作用明显,一方面使晶体内产生大量高畸变能区域从而为再结晶形核提供驱动力,有利于再结晶行为.另一方面也有利于再结晶晶粒的均匀长大,从而有利于再结晶软化.因此高应变速率下材料的软化率更高. 相似文献
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以粉末冶金法制备了具有屏蔽效能的铝基复合材料,分别以10∶1、15∶1和25∶1挤压比热挤压,并将挤压后的材料进行固溶强化和时效处理.通过对挤压态和T4态(WC+ B4C)p/6063Al复合材料拉伸性能的比较以及SEM、TEM分析,研究了该复合材料的力学性能.结果表明:以15:1挤压比进行热挤压,在520~530℃下固溶强化和时效处理时,该复合材料的力学性能最佳,抗拉强度大于300MPa且伸长率达10%以上;热处理后基体中Mg2Si析出相尺寸和形貌上的变化以及增强颗粒的弥散强化是该复合材料力学性能提升的原因. 相似文献
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针对10~100 kHz的低频磁场设计了几种屏蔽材料的复合结构,研究不同屏蔽材料对低频磁场的屏蔽效能。结果表明:低频磁场的屏蔽效能主要与材料的磁导率和电导率有关,屏蔽效能随磁场频率的增加而增加;对于不同频率的磁场,通过调整屏蔽材料的复合结构,能够以较低的厚度获得较高屏蔽效能。 相似文献
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采用磁控溅射的方法制备了带有Ni保护层和Zr-Co-Re(Re代表稀土元素)主体层的堆栈层薄膜吸气剂。通过X射线光电子能谱仪(XPS)分析了薄膜吸气剂内部O元素的含量分布,研究了薄膜吸气剂中Ni层的防氧化作用和机理。研究表明:(1)Ni/Zr-CoRe堆栈层薄膜吸气剂在160℃保温3h的条件下可以有效激活,并具有高于Zr-Co-Ni单层薄膜吸气剂的吸气性能;(2)Ni保护层降低了吸气剂的被氧化程度,促进了表面吸附的H2分子的解离和扩散。 相似文献
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铝铜互连线电迁移失效的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
随着大规模集成电路的不断发展,互连线失效已经成为影响集成电路可靠性的主要因素之一.在铝互连线中添加铜元素是常用的改善电迁移性能的方法,采用直流磁控溅射法用铝及铝铜合金靶材在硅基片上沉积了薄膜,并通过光刻、刻蚀制成互连线,通过电迁移加速寿命试验研究了温度和电流密度对Al-Cu互连线电迁移寿命的影响,分析了材料电迁移的热力学过程,推导了Al-Cu互连线的电迁移失效中值时间计算公式. 相似文献
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搅拌摩擦焊的旋转速度对接头焊缝形貌、微观组织和力学性能均有较大的影响。采用搅拌摩擦焊方法对5 mm厚的(WC+B4C)p/6063Al复合材料进行焊接试验,固定焊接速度为100 mm.min-1,旋转速度分别为900,1100,1300和1500 r.min-1,焊后观察焊缝宏观形貌和各种缺陷,并对接头的微观组织和力学性能进行了分析。焊缝宏观缺陷研究结果表明,随着旋转速度的升高,焊接热输入量增大,金属流动性得到改善,飞边、沟槽等宏观缺陷显著增多,焊缝形貌越来越粗糙;接头微观组织研究表明,由于搅拌头的搅拌作用,相比于母材,在焊核区增强相颗粒分布更加均匀,更多增强相颗粒发生破碎,且随着旋转速度的增加,这种趋势增强。对接头的抗拉强度研究表明,在1300 r.min-1以内时,随着旋转速度增加,接头抗拉强度随之增加,最大值为166 MPa,进一步增加到1500 r.min-1时,强度又有所降低,为154 MPa。 相似文献