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低压铝箔交流腐蚀研究 总被引:4,自引:2,他引:2
在30Hz频率下,通过铝箔在HCl+H2SO4+HNO3+H3PO4体系中的交流腐蚀,研究腐蚀液组成中腐蚀主体及缓蚀剂对铝箔腐蚀的作用,探讨腐蚀过程中电源频率、腐蚀液温度、电流密度及腐蚀时间对铝箔腐蚀的影响。腐蚀液组成的配比恰当,有利于比容的提高。在特定的频率下采用合适的腐蚀液温度、适宜的电流密度和腐蚀时间可以提高铝箔的静电容量。 相似文献
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在当今信息时代,随着便携式计算机、移动通信以及军事电子技术的迅速发展,对集成电路(IC)的需求量急剧攀升,微电子封装技术也迎来了它的高速发展期。微电子封装技术经历了双列直插式封装(DIP)、周边有引线的表面安装式封装和面阵式封装三个发展阶段。在新世纪中,以IC产业为代表的微电子工业的发展,为电子封装行业创造了无限的发展机遇。 相似文献
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基于低温共烧陶瓷技术流延工艺的特点,通过研究粘合剂、分散剂和增塑剂等在浆料体系中的力学效应对生瓷带中陶瓷成分颗粒的几何排列及所产生的孔隙排斥等力学特性的影响,以及优化热处理温度对生瓷带的质量损失、延展率和拉伸强度的关系,深入分析了流延过程的关键技术及工艺参数对生瓷带结构和微波特性的影响。研究后提出:通过调整流延浆化浆料中粘合剂、分散剂和增塑剂配比,采用梯度缓变的热处理烘干温度曲线和消除生瓷带累积应力等方法,可明显改善流延工艺过程,最终获得质量稳定、可靠性高和功能满足于微波应用要求的生瓷带。 相似文献
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阳离子分布对尖晶石型热敏陶瓷电性能的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
以高温固相反应法合成了Mn3 -xNixO4( 0 .5≤x≤ 1 .0 )和Mn3 -x -yNixCuyO( 0 .5≤x≤ 1 .0 ;0≤y≤ 0 .5 )材料 ,用XPS和XRD手段对尖晶石结构中存在的阳离子价态和分布情况进行了研究。指出随Ni含量的变化 ,Ni占据A位的比例w为 :w =5 49.6×e-2 .85 174x 并探讨了阳离子分布对电性能的影响。同时指出在Mn3 -x -yNixCuyO材料中存在着占据B位的Cu+,Cu+的出现使得B位相应产生了大量的可引起跳跃电导的Mn4+,且产生了第二种跳跃电导机制 :Cu+oct+Mn+oct→Cu2 +tet +Mn3 +oct 。这一发现可以成功解释该系材料的电导率和热老化系数比未掺杂Cu的同类材料高得多的原因。 相似文献
10.