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1.IntroductionInordertooptimizetokamakandachievehighperformanceplasmasuchashighcentraldensityandtemperature,goodcoreconfinementetc.,thesimultaneouscontroloftheedgeplasmaandcentraloneiscrucial.Therefore,themeasurementandcontroloftheedgeplajsmaparametersareverysignificanttocentralplasma.EdgeparameterssuchaStheedgedensity,temperatureandspacepotentialareusuallymeasuredbyusingLangmuirprobes.Duetotheprobemeasurementwithhightemporalandspa-tialresolution[1],itcanalsobeusedtoinvestigatetheirfluctuatio… 相似文献
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HL-1M装置边缘扰动和流速的实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用一组马赫探针研究HL-1M装置刮离层和边缘等离子体流在欧姆放电、壁硼化、偏压抽气孔栏、偏压电极、低混杂波电流驱动、电子回旋共振加热、弹丸注入、分子束注入、激光吹气和补充送气等情况下的平行流马赫数、离子饱和电流扰动、平行流速度剪切和极向流速度的分布。实验中发现局部等离子体电位快速变化,改变了电场分布,改变了边缘等离子体的流速和方向。从而改善了等离子体约束性能。 相似文献
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一种新的气体加料方法——分子束注入,在HL-1M装置上进行了实验。脉冲高速分子束是由高压气体通过拉瓦尔(Laval)喷口形成的。准直的氢分子束平均速度约为500m·s~(-1)。一个分子束脉冲通过拉瓦尔喷口进入真空室的粒子数为6×10~(19)个。一系列氦分子束脉冲注入HL-1M低密度((?)=4×10~(18)m~(-3))氢等离子体,氦粒子穿透深度可达到12cm,电子密度上升率达到3.1×10~(-20)m~(-3)·s~(-1)而始终保持稳态,密度峰值为5.6×10~(19)m~(-3)。在氦分子束脉冲注入后100ms,电子密度剖面峰化因子达到最大值Q_n=n_e(O)/〈n_e〉=1.51,其中,n_e(O)为中心密度,〈n_e〉为体平均密度。由反磁测量得出能量约束时间τ_E为28ms,较在相同运行条件下常规喷气加料高30%。分子束加料τ_E的改善和Q_n值的增加可与HL-1M装置的小弹丸注入和ASDEX装置[Kaufmann M et al,Nucl.Fusion 28(1988)827]的低速弹丸注入结果相比拟。除了氦的同位素效应之外,粒子注入的深度引起密度剖面峰化是约束改善的重要因素。因为在HL-1M装置常规喷气加料的Q_n值仅为1.4。分子束加料后的粒子约束时间比加料前高6倍。 相似文献
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