超薄铝膜的制备与透光率的研究

当铝(Al)膜的厚度在100nm时,可以作为一种光学薄膜使用.用这种超薄铝膜制成光学元件具有耐激光以及损耗小等特点,在大功率激光系统中将得到应用.利用高纯铝靶,运用直流磁控溅射法制备了超薄铝膜,利用双光束分光光度计研究了其光学性质,测试了超薄铝膜的制备条件,如工作压强、靶基距、溅射时间等对薄膜的光学性质的影响.得到了工作压强、靶基距及溅射功率与薄膜的光学性质之间的关系.     

退火处理对CdIn2O4薄膜光电特性的影响及温差电动势的研究

研究了直流磁控反应溅射制备三元化合物CdIn2O4薄膜(简称CIO膜)的光电性质和温差电动势,及其反应气体中氧浓度和退火处理对CIO膜性质的影响.结果表明CIO膜在可见光区有良好的导电性和透光性,退火处理明显提高了膜的透光率和载流子浓度,这一影响对CIO的广泛应用具有重要的意义.     

橡胶吸波材料研究进展

文中对柔性橡胶吸波材料的吸收机制进行了探讨,并对柔性橡胶吸波材料的国内外发展现状进行了概括,对未来的发展方向提出见解。     

基于SF６气体的高压断路器运行状态在线监测系统设计

为实现高压断路器的在线监测和故障诊断功能,提高电力系统的稳定性和安全性,设计了基于SF６气体的 高压断路器运行状态在线监测系统.提出了基于Polanyi吸附势的SF６气体状态监测方法,并提出了SF６气体高压断 路器机械特性的工作状态监测方法.设计了在线监测系统的硬件结构和软件设计流程,同时实现了SF６气体状态监测 和机械特性状态监测的系统功能.在某500kV变电站的500kVSF６高压断路器上验证了SF６高压断路器运行状态在 线监测系统的可靠性和准确性.该研究实现了高压断路器运行状态的在线监测,提高了设备保养周期和利用效率,符 合现代电力系统智能化、自动化和信息化的需求.     

透明导电CdIn2O4薄膜的结构和Seebeck效应

在Ar和O2混合气氛中,利用直流反应磁控溅射Cd-In合金靶制备了CdIn2O4(简称CIO)薄膜,利用AFM和XRD技术表征了薄膜的形貌和组成,用XPS分析了薄膜的化学成分和元素价态,并在室温下测量了CIO薄膜的Seebeck效应以及加入磁场后的Seebeck效应.实验结果表明:CIO薄膜是多晶薄膜,其表面粗糙度为1.60～2.60nm,晶粒大小为13～36nm,晶界清晰.它由CIO相和In2O3相组成,部分样品还含有微量的CdO相,退火处理后氧缺乏状态和氧充足状态的面积比由退火前的0.69增加到0.71,薄膜的导电性能得到提高.CIO薄膜具有非常明显的Seebeck效应,温差电动势随温差的增加而线性增加,温差电动势率随着电阻的增加而减小;加入磁场后,薄膜的温差电动势率变小.文章对制备条件和结构的关系以及Seebeck效应和加入磁场后的Seebeck效应的机理作了详细探讨.     

变电站充油设备绝缘油智能综合分析系统研究

本文针对绝缘油色谱试验时间长,检测数据分析智能化水平较低、数据展示不直观影响趋势判断等问题,建立油化实验室物联系统,将多类仪器接入网络,配合传感装置与监测装置,实现仪器的远程硬件控制和状态智能化感知,有效减少实验过程中非核心环节耗时,提高油务人员整体工作效率.研究适用于绝缘油全生命周期管理的检测数据融合智能分析方法,建立绝缘油数据融合智能分析系统,为充油设备状态智能分析提供技术支撑.建立绝缘油检测数据可视化平台,搭建数据展示框架,设计数据展示界面,对被分析数据进行化类分区,实现检测数据的综合掌控和智慧化管理.     

正负极性雷电冲击作用下棕榈油绝缘油的流注传播和击穿特性试验研究

相比于矿物油,天然酯绝缘油具有生物降解性高、无毒、耐火性强等优点,具有替代电力变压器中矿物绝缘油的潜力。本研究建立了一套包括高速图像采集系统、试验电源以及电信号测量系统的绝缘油雷电冲击放电特性试验系统,针对较为常见的棕榈油绝缘油和电力变压器中常用的矿物油,进行正、负极性雷电冲击放电特性试验研究。对比分析正、负极性雷电冲...     

镀银铝粉填充型电磁屏蔽硅橡胶的制备与性能

研究了镀银铝粉填充量和环境试验对电磁屏蔽硅橡胶电学和力学性能的影响。结果发现,镀银铝粉填充量为210份(质量)是电磁屏蔽硅橡胶的逾渗阈值;最佳的镀银铝粉填充量为230份(质量),此时电磁屏蔽硅橡胶的体积电阻率为6.75×10-3Ω.cm,拉伸强度为2.3MPa,扯断伸长率为571%,邵尔A硬度为65;镀银铝粉填充型电磁屏蔽硅橡胶具有较好的耐高低温和热空气老化性能,而耐盐雾性能较差。     

电磁屏蔽塑料的研究进展

介绍了电磁屏蔽的原理,综述了电磁屏蔽塑料的种类及研究应用现状,重点介绍了填充型复合塑料的性能及加工工艺,并对电磁屏蔽塑料的研究方向和发展趋势进行了展望.     

双应力应变硅技术浅析

近来业界纷纷讨论IBM和AMD联合推出的双应力应变硅技术，并应用于新推出的微处理器，本文就应变硅技术提出的背景、应变硅技术的基本原理．技术特点．双应力衬底技术DSL等方面对应变硅技术进行了简单介绍和分析，以期对感兴趣的读者提供帮助。