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张茂添 《中国新技术新产品》2009,(7):212-212
随着时代的发展和科学技术的进步,伴随着计算机技术与网络技术的迅速发展与普及,现代信息技术已进入人类生活的各个方面,特别是在教育教学中的应用,更加体现了教学手段的现代化,运用现代信息技术进行教学,构建起了新型教学模式,有利于提高教学质量,那么如何在体育教学中运用现代信息技术教育进行教学?本文将作些探讨。 相似文献
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制备了氧化铪(HfO2)高k介质栅Si基Ge/SiGe异质结构肖特基源漏场效应晶体管(SB-MOSFET)器件,研究了n型掺杂Si0.16Ge0.84层对器件特性的影响,分析了n型掺杂SiGe层降低器件关态电流的机理。使用UHV CVD沉积系统,采用低温Ge缓冲层技术进行了材料生长,首先在Si衬底上外延Ge缓冲层,随后生长32 nm Si0.16Ge0.84和12 nm Ge,并生长1 nm Si作为钝化层。使用原子力显微镜和X射线衍射对材料形貌和晶体质量进行表征,在源漏区沉积Ni薄膜并退火形成NiGe/Ge肖特基结,制备的p型沟道肖特基源漏MOSFET,其未掺杂Ge/SiGe异质结构MOSFET器件的空穴有效迁移率比相同工艺条件制备的硅器件的高1.5倍,比传统硅器件空穴有效迁移率提高了80%,掺杂器件的空穴有效迁移率与传统硅器件的相当。 相似文献
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