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水合肼还原对硝基乙酰苯胺的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
本文以Pd/C为催化剂,水合肼为还原剂由p-硝基乙酰苯胺还原制备p-氨基乙酰苯胺。通过正交实验确定p-硝基乙酰苯胺的水合肼还原反应中催化剂用量是最重要的影响因素。当n(p-NO2C6H4NHCOCH3):n(N2H4H2O))=1:1.8、0.8%Pd/C催化剂8.5g/mol p-硝基乙酰苯胺时.80℃,反应3小时,p-硝基乙酰苯胺的转化率达100%。用质谱及红外光谱对产物进行了表征。在液相色谱跟踪下对还原反应的历程进行了初步考察。 相似文献
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研究了碱浓度对氧气液相氧化对硝基甲苯制取对硝基苯甲酸的影响,发现对硝基苯甲酸的收率随着碱浓度的增加而增加。当碱浓度为4.8mol/L时,以甲醇为溶剂,在50℃、2.0MPa氧压下反应12h可获得81.1%的对硝基苯甲酸收率,粗品纯度可达98.0%以上。 相似文献
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以硝酸钠溶液作为腐蚀液,通过电化学和紫外辅助电化学相结合的两步法腐蚀GaN薄膜,制备出了多孔阵列结构。采用扫描电子显微镜(SEM)表征了多孔阵列结构的形貌,结果表明多孔GaN阵列结构排列整齐,孔径分布均匀,其平均孔径为24.1 nm,孔隙密度为3.86×1010 cm-2,深度为2μm。利用X射线衍射仪(XRD)和Raman光谱仪表征了多孔GaN阵列的晶体结构,与平面GaN薄膜相比,多孔GaN阵列结构的晶体质量更好,且具有较低的残余应力。使用光致发光(PL)光谱和紫外-可见光(UV-Vis)吸收光谱表征了GaN的光学性能,与平面GaN薄膜相比,多孔GaN阵列结构的光致发光强度和光吸收能力有较大提升。通过电化学工作站对多孔GaN阵列结构的光电性能进行测试,在1.23 V偏压下,多孔GaN阵列结构的光电流是GaN平面结构的约3.36倍,最大光电转化效率ηmax是平面GaN薄膜的约3.5倍。该研究为多孔GaN阵列结构的应用提供了一定的实验数据和理论指导。 相似文献
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本文采用紫外-可见二极管阵列检测器,在反相C_18色谱柱上,以含lg/L柠檬酸的甲醇-水为流动相分离分散染料,研究了检测波长及最小检出量的关系,以及几个商品分散染料的分离. 相似文献
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