超高强度钢与低合金钢的激光搭接焊性能

采用Yb:YAG激光器对超高强度钢EN10292 TL4225和低合金钢H340LAD进行了激光焊接试验,分析了不同焊接参数对接头质量的影响。利用光学显微镜观察了接头的微观组织,并通过硬度测试及拉剪试验对接头的力学性能进行了测试,最后采用扫描电镜(SEM,HITACHS-4300)对拉伸断口进行了研究。结果表明,采用优化的焊接参数获得的接头具有良好的接头组织和力学性能,焊接质量能够满足实际生产中的需要。     

“互联网+”在公安信息化行政执法中的应用

随着科技发展进入现代化的信息时代,为确保公安执法工作跟上现代化的潮流,警务信息化便成为核心的战略目标。“科技兴警”理念被习近平总书记提出后,最现实的意义便是大力加强公安警务信息化建设。当今复杂多样的行政违法行为是公安执法的巨大阻碍,“互联网+”的出现无疑为公安执法工作规范化带来了新的契机。将现代化的信息技术运用到警务工作中,建立以信息化执法流程为核心的公安行政执法机制,注重对公安内网资源的调配和运用,是提高公安行政执法能力的重要因素。     

浅析“互联网+”时代公安群众工作的优化途径

信息技术和“互联网+”的发展为新时期公安群众工作带来了新的契机,使传统警民关系在原有基础上产生了新的内涵。公安工作应积极顺应“互联网+”的发展,以更好的服务广大群众,建立和群众间深厚的联系;为此我们需要建设功能齐全的警民服务平台,给群众提供最大便利。同时增强民警网络服务平台的操作技巧,提高警民网络平台的服务质量;最后要利用警民网络平台做好群众的宣传教育工作,提高信息时代公安群众工作的质量。     

基于改进非支配排序遗传算法的含DG配电网优化配置

分布式电源的接入对配电网中潮流分布、有功损耗和电压分布有很大影响。针对含DG配电网运行优化问题,建立了以DG最大出力、有功网损最小及电压偏差最小的多目标优化模型,提出一种改进的非支配排序遗传算法求解分布式电源的最优化有功出力。在NSGA-Ⅱ算法基础上改进了非支配排序策略、选择截断策略,采用改进的NSGA-II算法求解含DG配电网优化控制问题。通过IEEE33节点算例分析,结果表明该模型可以在分布式电源最大出力、有功网损最小及电压偏差最小方面,较为全面地实现配电网分布式电源的优化控制。     

核桃仁去种皮方法的探究与开发

本文对目前已有的核桃内种皮去除技术进行了简要介绍,分析探讨了每种核桃内种皮去皮技术的特点,并提出了一种新的核桃内种皮去除技术,以期为核桃产业综合发展提供参考.     

真空灭弧室中X射线对人体健康的影响

一般认为,在进行真空灭弧室的出厂耐压试验时不会产生危及人体健康的X射线,但这忽略了两个非常重要的因素,即过小的开距和较高的外施电压。为深入了解X射线对高压试验人员的影响,在不同情况下进行一系列模拟加压试验,并对生产线上大量真空灭弧室进行X射线释放量的监测,发现在高电压老炼过程中会释放出高水平的X射线,无论瞬时量还是累计量都已经远远超过标准中规定的要求。因此,在从事该项工作时,采取适当的防范措施是十分必要的。     

基于EEMD-HHT方法的隧洞爆破网路延时分析

由于非电毫秒雷管本身存在起爆误差,造成网路理论延时与实际延时存在较大误差。为更深入研究网路实际延时时间,以黄河上游某水电站引水发电隧洞工程实测爆破振动信号为分析对象,使用EEMD方法求出爆破信号IMF分量,进行Hilbert变换求出各分量能量,并对能量最大分量进行Hilbert变换求出包络线,再对包络线峰值进行分析得到网路的各段非电雷管的实际起爆时刻分别为49,74,178,235,350,469,609ms,从而准确求得网路中各段间的实际延时时间为25,104,57,115,119,140ms。对网路的理论与实际延时时间进行对比分析,发现理论与实际延时时间存在较大精度误差,这说明采用EEMD-HHT方法识别网路的延时精度是可行的。     

宽限期的理解与适用

从专利法第二十四条所规定的不丧失新颖性的宽限期的立法宗旨出发,对其法律效力以及适用方式进行深入探讨,特别对图像通信领域中容易出现的涉及适用宽限期的两种情形给出说明,提出合理利用宽限期的建议,不仅加深了专利申请人对宽限期的理解,而且使专利申请人的利益能够得到充分保护.     

OODB中连接类视图的物化和增量保持技术

目前,对数据库视图的物化和增量保持技术已有很多讨论,但对ＯＯＤＢ视图的物化和增量保持基本上局限于ＩＳＡ关系由单个类导出视图的范围内,而对于由两个或多个类通过连接操作导出的视图这一范围尚无涉及,该文提出了基于这一范畴的视图物化和增量保持的一种数据模式和基于该模式的增量保持技术。     

α－SiC：H薄膜的热行为研究

采用射频反应溅射工艺沉积了α—SiC:H薄膜。利用微分扫描量热器(DSC)和差热分析仪(DTA)两种热分析方法确定了α—SiC:H薄膜的脱H过程和相转变温度，353．2℃脱Si—H和602．6℃脱C—H，并在1080℃相变结晶。在氨气流保护下的光热炉内进行热处理，Fourier红外光谱(FTIR)和反射谱的研究表明，400℃热处理后薄膜内的H含量急剧下降。高温热处理中的脱H过程有利于游离硅和游离碳的反应形成额外的Si—C键，促进薄膜致密，并能提高其在紫外部分的反射率，降低红外区域的反射率。热处理温度超过500℃，容易导致薄膜脱落。适当的退火工艺有利于拓展碳化硅薄膜在空间材料上的应用。