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C_3N_4──替代金刚石的新材料李建保,孔向阳,范守善(清华大学材料系,清华大学物理系北京100084)C3N4作为一种预言其硬度可与金刚石相比拟的新材料已为不少材料科学工作者所关注。这种新材料一开始不是从实验研制中获得的,而是MarvinL.Co... 相似文献
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通过对电火花数控系统的革新,建立一个附加的补偿系统,该补偿系统能够对机床导轨的轨迹误差和传动系统误差进行补偿,建立一个模拟的理想坐标格栅,此坐标格栅作为机床的工作参照坐标,使机床的加工精度得到大幅度的提高。对补偿系统的定期校验则可以弥补机床磨损造成的精度降低,使线切割机床的高精度工作寿命得到延长。 相似文献
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研究350℃热暴露200 h对金属型铸造与高压铸造Al-Si-Cu-Ni-Mg合金组织和力学性能的影响。用扫描电镜和图片分析软件IPP表征合金中硅相的形貌。研究结果表明,高温热暴露促进共晶硅的球化和粗化。热暴露后,高压铸造合金的室温抗拉强度高于金属型铸造的,但350℃时两种合金的高温抗拉强度均为67 MPa左右。由于共晶硅的粗化,热暴露后金属型铸造合金的抗蠕变性能均优于高压铸造合金。因此,拥有细小尺寸共晶硅的合金不适于在350℃的条件下应用。 相似文献
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孔向阳 《现代制造技术与装备》2004,(5):23-25
通过对电火花数控系统的革新,建立一个附加的补偿系统,该补偿系统能够对机床导轨的轨迹误差和传动系统误差进行补偿,建立一个模拟的理想坐标格栅,此坐标格栅作为机床的工作参照坐标,使机床的加工精度得到大幅度的提高。对补偿系统的定期校验则可以弥补机床磨损造成的精度降低,使线切割机床的高精度工作寿命得到延长。 相似文献
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自从1988年在Fe/Cr多层膜中发现巨磁电阻效应(GMR)以来,GMR薄膜以其丰富多彩的基础研究内涵和在磁记录介质和传感器等领域宽广的应用前景而成为近年来薄膜研究的热点之一.而随后在Co-Cu、Co-Ag等纳米颗粒膜中也发现了巨磁电阻效应,纳米颗粒膜更以其简便的制备工艺而倍受青睐.虽然目前人们对颗粒膜的GMR效应提出了一些理论解释[1,2],但是这些理论不能完全解释实验中所观察到的现象,因此有关颗粒膜的微结构与GMR性能的内在关系仍有待进一步的研究.本文采用多靶磁控溅射方法制备了一系列不同体积分数(25~51vol.%FeCo)的FeCo-Al2O3纳米颗粒膜,研究了其微结构和GMR性能的关系. 相似文献
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在高纯氮气气氛中采用有机前驱体热解法合成了氮化硅纳米线,对氮化硅纳米线所进行的详细的微观表征表明它们具有良好的单晶特性,其生长沿着α-Si_3N_4的[1010]方向并受VS机制所控制.在室温下用325 nm激光对样品激发,观察到样品有很宽的强光致发光带,在实验中用肉眼即能观察到从样品所发出的强光.考虑到通过稀土掺杂(如引入Nd、Eu、Er和Yb)等手段能够降低氮化硅纳米结构的能带从而进一步调控其光学性能,可以相信氮化硅纳米线在防伪发光材料领域将有着广阔的开发潜力. 相似文献
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针对Cr12MoV钢和T8钢,研究了盐浴渗钒层的制备工艺,同时对盐浴渗钒层的组成、相结构、硬度和耐磨性进行了研究。结果表明,通过本研究开发的熔盐配比和处理工艺,获得的渗层主要由碳化钒组成,而且渗层组织均匀、结构致密、具有很高的显微硬度和良好的耐磨性。 相似文献
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ZnO、Zn2SnO4均为直接带隙宽禁带氧化物半导体,是优异的功能材料.以ZnO、SnO2为原料,通过共热蒸发法,合成了ZnO/Zn2SnO4纳米电缆结构.该纳米电缆结构为以ZnO为芯,Zn2SnO4为鞘,直径为50~100nm,长度可达上百微米.通过TEM分析手段,发现该纳米电缆结构中,ZnO的生长方向为<0001>方向,ZnO芯与Zn2SnO4鞘之间形成晶格外延关系.室温下光致发光谱结果显示,该纳米电缆结构在紫外区域(380.58nm附近处)存在很强的带边发光,而在可见光区域没有明显的发光带,这一结果表明:Zn2SnO4鞘层的存在能有效抑制ZnO表面的缺陷发光.ZnO/Zn2SnO4纳米电缆结构可以抑制电子-空穴的复合,在染料敏化太阳能电池等方面有一定的应用潜力. 相似文献