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金属铝诱导法低温制备多晶硅薄膜 总被引:4,自引:0,他引:4
以氢气稀释的硅烷(SiH4)和硼烷(B2H6)为气源,利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出p型a-Si薄膜.采用铝诱导晶化技术对不同厚度的铝膜对a-Si薄膜晶化的影响进行了研究.实验中发现,铝膜溅射为10 s的非晶硅薄膜样品在450℃下退火10 min后,p型a-Si结构仍为非晶态,铝膜溅射为20 s的非晶硅薄膜在450℃下退火20 min后,p型a-Si薄膜开始晶化为polySi薄膜,并且铝膜厚度越厚,则a-Si薄膜晶化程度越强. 相似文献
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采用两步法在FTO导电玻璃衬底上制备ZnO纳米棒,首先利用浸渍-提拉法在FTO导电玻璃衬底上制备ZnO晶种层,然后把有ZnO晶种层的FTO衬底放入盛有生长溶液的反应釜中利用水热法制备ZnO纳米棒.研究了生长溶液的浓度、生长温度和生长时间对所制备的对ZnO纳米棒阵列的微结构和光致发光性能的影响,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)研究了ZnO样品的结构、形貌和光学性质.实验结果表明:所制备的ZnO纳米棒呈现六方纤锌矿结构,沿(002)晶面择优取向生长,纳米棒的平均直径约为100 nm,长度约为2.5 μm.所制备的ZnO纳米棒在390 nm附近具有很强的紫外发光峰和在550 nm附近有较弱的宽绿光发光峰. 相似文献
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采用PECVD法在镀铝的玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后样品在氮气气氛下温度为500℃的条件下退火,成功地将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。利用XRD、RAMAN、SEM等测试方法,研究了不同铝膜厚度的非晶硅薄膜诱导晶化的过程实验结果表明,铝膜厚度较厚的样品在500℃下退火1h晶化为较好的多晶硅薄膜,而铝膜较薄的样品热处理后仍为非晶硅薄膜。 相似文献
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近年来,全无机铯铅卤化钙钛矿CsPbX3(X=Cl, Br, I)纳米晶(NCs)材料因具有长载流子寿命、强光吸收、低成本制造和带隙可调性等独特的性能已成为研究的热点,但专注于CsPbBr3纳米晶瞬态光电导的相关研究却很少。本工作通过配体辅助再沉淀法制备了CsPbBr3纳米晶体,并改进了光电导薄膜样品的制样方法和真空瞬态光电导测试装置,研究了不同温度和不同激发功率对CsPbBr3纳米晶瞬态光电导的影响。不同温度的瞬态光电导实验结果表明,在133~273K温度范围内,光生电流衰减速率随着温度增加而逐渐减小,而在273~373 K温度范围内,光生电流衰减速率随着温度升高而逐渐增大。不同激发功率的瞬态光电导实验表明,激发功率从200mW逐渐增大到1000mW时,光生电流衰减速率增大。本工作的研究方法为研究光激发光生载流子的动力学相关行为提供了一个的新思路。 相似文献
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CuInGaSe2薄膜太阳能电池因具有稳定、高效、低成本和环保等特点而受到国内外科学家的重视.采用Mo/钠钙玻璃衬底为研究电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极为辅助电极的三电极体系,在钼/钠钙玻璃衬底上利用电沉积技术制备出太阳能电池用的CuInGaSe2薄膜.分析了不同热处理温度对电沉积制备的CuInGaSe2薄膜的影响,结果表明:当热处理温度为450℃时,所制备的CuInGaSe2薄膜的化学组成接近理想的化学计量比,薄膜具有黄铜矿结构,颗粒均匀和致密性较好. 相似文献
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ITO薄膜的制备工艺及进展 总被引:6,自引:0,他引:6
对玻璃表面ITO膜的组成、导电机制、性质和制备工艺进行描述.介绍各种制备工艺的优点及在今后的研究中要解决的问题. 相似文献
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夏冬林 《机械工人(冷加工)》1983,(1)
更换装在轴承座里的旧轴承是比较困难的,使用图示这种开槽心轴就方便多了。心轴由冷轧钢棒料制成,其一端直径稍大于要拔取轴承的内径,另一端车削到约比轴承内径小0.001~0.002英寸,在棒料轴向钻一个精密孔,在车好的端面上钻60°锥口孔并用锯齿刀开割一条槽,长约1英寸,然后,在六角头螺栓或内六角螺栓头下面车成60°角,螺栓的长度要足以能穿过整个心 相似文献