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1.
ZnS掺杂技术研究及应用现状   总被引:7,自引:0,他引:7  
对现阶段国内外在ZnS及ZnS基材料掺杂改性方面的研究成果作一概述性介绍,综述了纳米级ZnS发光材料掺杂改性的基本机理,主要的掺杂技术、方法,并对多种掺杂元素的效果进行了分析比较。  相似文献   
2.
Ti-Al基合金中的Hall-Petch关系及影响因素分析   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了全层片状组织Ti-Al基合金的室温拉伸性能与品团尺寸的关系。Ti-Al基合金的室温拉伸屈服强度和断裂强度与晶团尺寸成Hall-Petch关系。当合金中添加替代元素Cr和Nb时,其Hall-Petch斜率不变;而添加间隙元素C和B时,其Hall-Petch斜率增加。Ti-Al基合金的室温延伸率与晶团尺寸不满足Hall-Petch关系。  相似文献   
3.
4.
北京国华电力有限责任公司热电分公司1号锅炉运行中结渣严重,对此从燃料特性,锅炉结构、炉内空气动力结构、运行状况等方面进行了分析,探讨了其结渣的原因,并提出了相应的解决措施。  相似文献   
5.
针对北京第一热电厂超高压锅炉辐射式过热器的严重超温变形问题,通过理论计算与技术分析以及试验研究,分析了超温变形的主要原因,提出了技术改进方案。  相似文献   
6.
采用高效球磨细氧化钨、扁平片状W粉、碳黑、钴及适量晶粒长大抑制剂等为原料,通过碳辅助氢还原制备质量分数20%纳米钨强化片状W/Co/C复合粉末,于低压真空烧结炉中在1 410℃的温度下一次碳化烧结,制备了含片状晶WC-10%Co(质量分数)硬质合金,研究了质量分数20%纳米W的引入对合金烧结致密化及其性能的影响.对不同...  相似文献   
7.
TiAl基合金板材制备技术的发展现状   总被引:1,自引:1,他引:1  
综述了TiAl基合金板材制备技术的发展现状。介绍了的制备TiAl基合金板材三种技术的工艺过程及制得的TiAl基合金板材的显微组织和力学性能。  相似文献   
8.
ZnS掺杂技术研究及应用现状   总被引:1,自引:0,他引:1  
对现阶段国内外在ZnS及ZnS基材料掺杂改性方面的研究成果进行了简要介绍,对纳米级ZnS发光材料掺杂改性的基本机理、主要的掺杂技术、方法进行了综述,并对多种掺杂元素的效果进行了分析比较。  相似文献   
9.
ZnS光电材料制备技术的研究进展   总被引:9,自引:1,他引:8  
ZnS作为一种性能优良的光学,电学和光电一体化材料,具有极大的应用价值,综合概述了ZnS粉末,块状材料和薄膜等各种材料的制备方法,阐述并讨论了水热合成法,均匀沉淀法,溶胶-凝胶法,化学气相沉积法,溅射法等不同方法的特点,并着重论述了ZnS粉末和薄膜,特别是在纳米粉末和纳米晶薄膜制备技术方面的研究进展。  相似文献   
10.
何菊生  张萌  许彪  唐建成 《半导体学报》2007,28(7):1041-1047
用数值方法将室温n型GaN补偿度θ表示为Caughey-Thomas解析模型函数.对大多数非故意掺杂样品,该模型值θChin与Chin等人的理论值及普遍采用的变温霍耳测量拟合值比较表明,三者具有较好的一致性.对掺Si样品及有氧或Si污染的非故意掺杂样品,基于Chin理论的补偿度值与普遍采用的实验拟合值常有一定偏差,通过理论计算及数值方法,得到了掺硅GaN补偿度的解析模型函数θSi,在室温载流子浓度3×1016~1018 cm-3范围内,该模型值与普遍采用的实验拟合值符合得较好,与基于Chin理论的补偿度θChin也有很好的相容性.该模型对GaN材料分析及器件的计算机模拟、器件仿真有重要意义.  相似文献   
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