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唐元洪 《固体电子学研究与进展》1997,17(4):329-332
提出了用空间电荷限制电流(SCLC)法测量非晶硅材料的有效隙态密度的新方法,并且报告了用4061A型半导体综合测试仪测量有效隙态密度的结果。测量结果发现与用低频电容法所得结果相符。 相似文献
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通过热力学计算研究自蔓延高温合成技术合成La0.7Sr0.3MnO3反应机制。结果表明:对于Mn,La2O3,SrCO3,NaClO4组成的自蔓延高温合成La0.7Sr0.3Mn0.3反应体系,理论上Mn粉优先与La2O3反应生成LaMnO3,低温下Mn粉优先与O2反应生成少量MnOx,大部分剩余的Mn粉高温(〉1417K)下优先与O2反应生成SrMnO3;同时,少量低温(〈1417K)时形成的MnOx与SrCO3反应生成SrMnO3。高温下,SrMnO3与LaMnO3反应生成La0.7Sr0.3MnO3,这是SHS法合成La0.7Sr0.3MnO3的主要途径。另外,当温度大于1235K时,少量La2O3与SrCO3反应生成La2SrOx,La2SrOx再与LaMnO3反应生成La0.7Sr0.3Mn0.3。 相似文献
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SHS法合成La1-xSrxMnO3的烧结性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用SHS法制备了SOFC阴极材料La1-xSrxMnO3(LSM)}研究了不同温度下烧结LSM强度、相对密度与掺Sr量的关系,烧结试样的孔隙率以及膨胀系数随温度的变化关系。结果表明;随着Sr含量的增加,合成LSM粉末的粒度增大,烧结试样的相对密度略有降低;较高的烧结温度有利于降低试样的孔隙率;烧结LSM的热膨胀系数与YSZ匹配较好。 相似文献
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研究了热处理温度、时间对自蔓延高温合成La0.7Sr0.3MnO3物相、形貌、晶粒度、抗弯强度、电导率的影响,结果表明,热处理可以有效消除自蔓延高温合成产物中的杂质相,且随着热处理温度的升高,产物中杂质相呈现减少的趋势,La0.7Sr0.3MnO3,粉末晶粒尺寸逐渐增大,但较高的热处理温度会使粉末烧结现象加重.热处理有助于提高SHS合成La0.7Sr0.3MnO3的导电性,当工作温度为800℃时,未经过热处理试样的电导率为42.5S·cm^-1,而经过800℃热处理试样的电导率达到48.3 S·cm^-1. 相似文献
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用电场辅助电沉积的方法,在多空有序氧化铝模板(AMM)中成功合成了Eu3 掺杂的Y2O3纳米管阵列.扫描电镜和透射电镜观察表明这些稀土化合物纳米管是均匀、连续的、且相互平行.纳米管的外径大约60nm、壁厚3nm.实验中得到的全是纳米管,没有发现纳米丝.XRD、Raman光谱、XPS和荧光光谱表明Eu3 离子确实进入了晶格.大部分Eu3 离子占据缺少反对称中心的C2位置,只有少量的Eu3 离子占据具有对称中心的S6位置.在394nm波长的紫外光激发下,Y2O3纳米管阵列的发射光谱仅在612nm处有一个峰,这对应于Eu3 中电子的5D0→7F2跃迁.当Eu3 与Y3 的摩尔比为7.5%时,纳米管阵列的发光最强. 相似文献
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硅纳米管的制备及应用前景 总被引:2,自引:0,他引:2
自组生长的硅纳米管是在一定条件下由一个个原子自己搭建生成、内部排列有序的一种新型的一维纳米材料,它完全可以体现硅纳米管的真实特性,同时具备碳纳米材料和硅纳米线材料的性能,在传感器、晶体管、光电器等纳米器件及场发射显示屏等方面具有广泛的应用前景。作者采用全新的水热溶液生长法合成硅纳米管。这种硅纳米管是国际上第一次合成自组生成的硅纳米管,为将来制造纳米电子器件提供了继碳纳米管、硅纳米线后的又一种全新的纳米材料。 相似文献
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