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低价硫化铝法从氧化铝直接炭还原制铝的动力学研究 总被引:3,自引:0,他引:3
低价硫化铝法从氧化铝直接炭还原制铝的动力学过程极为复杂,过程的前期受界面化学反应控制,过程后期受扩散过程控制,并求得不同时期的活化能,反应前期:E1=63.81 kJ/mol(6.67 Pa)、E2=50.82 kJ/mol(66.7 Pa)、E3=54.72 kJ/mol(666.7 Pa)、E4=39.61 kJ/mol(1333 Pa);反应后期:E*1=112.90 kJ/mol(6.67 Pa)、E*2=89.92 kJ/mol(66.7 Pa)、E*3=97.32 kJ/mol(666.7 Pa)、E*4=51.83 kJ/mol(1333 Pa).从动力学的角度提出了反应的较佳条件.温度、真空度的提高一方面可增大反应速率,但另一方面却加大了硫化铝的挥发,仅从增大速率而言,温度应大于1100 ℃,真空度应优于1333 Pa为宜. 相似文献
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对用低价硫化铝的歧化反应在镀铝膜和富集催化剂中贵金属作了研究。用蒸发源(4Al Al2S3)进行反应蒸发镀膜,系统真空度为5Pa左右,温度为1100℃。所得镀层表面光滑、平整,扩散层厚。镀膜层为Fe3Al及AlFe两相,镀膜时,基体温度应大于800℃。用该种方法富集催化剂中贵金属时,试验表明,在温度1200~1400℃、真空度大于666.7Pa下,反应蒸馏3h,可使氧化铝还原20%左右,贵金属富集1.2倍;相同条件下蒸馏四次,可使贵金属富集1.6倍,收率大于92%,实验中得到表面严重氧化的细小铝颗粒,该问题的解决有待进一步的研究。 相似文献
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高砷物料的NaOH焙烧脱砷工艺 总被引:2,自引:0,他引:2
吴国元 《中国有色金属学报》1998,(Z2)
研究了高砷金矿及高砷Cu-Ni合金的NaOH焙烧-水浸脱砷新工艺。在650~700℃,物料:氢气化钠为1.08:1.1,添加1%左右的添加剂的条件下焙烧,浸出渣中砷低于1.0%,该工艺稳定可靠,适应性广,设备简单.经济,对大气污染极小。 相似文献
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研究了16位数据采集的一种新型通用的检测单元及接口电路的工作原理和结构,该系统以六对极旋转变压器为检测元件,采用鉴相原理构成相/脉冲系统,具有结构简单,分辨率高,通用性强等特点。 相似文献
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高砷金精矿NaOH焙烧脱砷工艺的研究 总被引:10,自引:2,他引:8
研究了高砷金精矿的NaOH焙烧-水浸脱砷工艺。研究结果表明,该工艺脱砷效果好,对环境污染小。 相似文献
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高砷金精矿真空脱砷的动力学研究 总被引:4,自引:1,他引:3
通过研究高砷金精矿真空脱砷的动力学发现:高砷金精矿的真空脱砷是一个多步骤混合控制的复杂过程。脱砷前期,过程受界面化学反应控制;脱砷后期,过程受内扩散控制。低温时,氧化挥发作用很大;高温时,分解蒸发占主导地位,氧化挥发作用很小。在450℃—800℃温度范围内,求得各残压下的活化能为:5Torr时:E1=63.47kJ/mol.E2=59.80KJ/mol,50Torr时:E1=52.23kJ/mol 相似文献
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研究Si的室温晶化生长对微电子应用技术是十分重要的.本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构,对样品进行X射线和拉曼散射实验表征.研究表明Ge可诱导膜中Si薄层的室温晶化,当Ge厚度略小于Si薄层厚时,获得最佳的Si室温晶化效果. 相似文献
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从固相感光材料中回收银新工艺的研究 总被引:3,自引:1,他引:2
研究了从X光胶片中回收银的新工艺,提出了最佳工艺条件并推荐新工艺流程。 相似文献
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废感光材料中银的提取及其它有用物质的再利用 总被引:4,自引:0,他引:4
系统地综述了各种废感光材料(胶片、相纸、漂白液、定影液、显影液、工业废水)中银的提取方法,并对废感光材料的一些有用物质(如片基、纸、加工药液)的再利用作了一定的阐述。 相似文献