离子束辅助沉积铌提高铀的抗腐蚀性能研究

利用离子注入技术在铀表面进行了离子束辅助沉积铌和离子注入铌形成表面改性层，并对改性层的厚度、注入元素的分布进行俄歇电子能谱（AES）分析和表面相及结构的X射线衍射谱（XRD）分析，用电化学极化法测试抗腐蚀性能。结果表明：离子束辅助沉积表面改性层比离子注入表面改性层明显增厚，铀的耐蚀性得到进一步改善。最后讨论了注铌改性层耐蚀性提高的原因。     

脉冲激光和磁控溅射沉积Mo薄膜研究

采用脉冲激光（PLD）和磁控溅射（MS）沉积技术制备了Mo薄膜，用扫描电镜（SEM）、白光干涉仪和X射线衍射仪（XRD）分别表征了薄膜的表面形貌和组织、表面粗糙度和薄膜密度。结果表明，PLD沉积的Mo的表面形貌受脉冲能量和基体温度的影响较大，能量越高、表面缺陷增多。MS沉积的Mo薄膜较致密，呈典型的柱状生长行为。PLD秽MS沉积的Mo薄膜的表面粗糙度均较好，R小于20nm。对实验结果进行了讨论。     

以人为本构筑企业的核心竞争力

分析了以人为本构筑企业核心竞争力的原因,探索了以人为本构筑企业核心竞争力的途径。     

偏压对磁控溅射沉积Al—Zn镀层成分和结构的影响

采用扫描电镜（SEM）、X射线衍射仪、X射线能谱（EDS）和俄歇电子能谱仪（AES）,研究了基片偏压对磁控溅射沉积Al-Zn镀层组成和结构的影响。随着基片偏压的增加镀层的Zn含量呈降低趋势,在不同基片偏压下可获得不同择优取向的Al-Zn镀层。     

铀上化学镀非晶态Ni-P镀层研究

对在U上化学镀Ni-P工艺进行了研究,并用扫描透射电镜（STEM）,X射线衍射仪研究了P含量为9．00－10．50（质量分数）的Ni－P镀层性能、经不同温度热处理后其组织结构的转变以及室温稳定性。结果表明：镀后镀层组织为非晶态,但局部存在短程有序的尺度差异,室温下非晶态组织是稳定的;高温下,非晶态将转变为Ni、Ni3P晶体组织。     

磁控溅射沉积U薄膜性能研究

采用X射线光电子能谱仪(XPS)和扫描透射电镜(STEM)分析了在Al薄膜基材上磁控溅射沉积U薄膜的表面形貌、组织和结构;分别采用排代法、霍美尔(T20S)粗糙度测量仪测量了薄膜的密度和表面粗糙度.结果表明溅射沉积的U薄膜由金属U和少量UO2组成,薄膜结构属微晶和无定形态,密度是块材密度的(75±5)%,表面粗糙度小于0.3 μm.     

微米级Mo-Al轧制箔扩散连接界面相的形貌及反应动力学

采用固相真空扩散连接方法,在873-913 K保温40-240 min条件下对轧制厚度分别为20和60um的Mo和Al箔进行扩散连接.发现Mo-Al固-固界面反应初生相在Mo箔内部形核进而"破壳"生长的形貌演变模式,成分分析表明该初生相为AlsMo3.初生相"破壳"后,Mo-Al界面上由Mo至Al的产物分布依次是Al8Mo3,Al5Mo和Al12Mo;在913 K保温240 min后,Al8Mo3与Al5Mo间出现Al4Mo相.界面反应的动力学分析表明,873-913 K条件下,Mo-Al界面反应初生相孕育期为52-34.5 min;Al原子在Mo-Al界面新生相内和Mo箔内的扩散指前因子D01和D02分别为4.61×10-2和2.05×10-2cm2/min,扩散激活能GAl-1和GAl-2分别为0.98和1.48 eV.     

铀表面钛膜在真空升温过程中对残余气氛的吸附行为

用磁控溅射镀膜技术在铀表面制备了钛膜防腐蚀层。用俄歇电子能谱仪(AES)研究了在超高真空室中铀表面钛膜从室温加热到400℃过程中表面化学结构的变化，同时对比分析了钛板试样的结构变化。最后分析了TiO2对铀表面钛膜吸附残余气氛的影响。结果表明，钛膜表面吸附了大量的含碳气体并使之分解而形成TiC。加热方式影响钛膜对含碳气体的吸附行为。钛膜表面形成TiO2后可显著降低对含碳气体的吸附能力。     

铀表面Ti/Al复合镀层中Ti膜表面氧化结构研究

采用电子能量损失谱(EELS)和俄歇电子能谱(AES)研究了铀表面磁控溅射离子镀Ti/Al复合镀层中Ti膜在6.5×10-6PaO2、150℃～400℃和0.05MPaO2、200℃～500℃环境中表面化学结构变化,并与块状金属Ti的行为进行了比较.结果表明,Ti膜表面结构随着氧化温度和氧分压而变化.在0.05MPaO2足氧气氛中,在200℃～500℃下氧化时,Ti膜与块状金属Ti表面形成的氧化物均为TiO2.在6.5×10-6PaO2环境中,在较高温度(400℃)下由于表面缺氧Ti膜表面仅形成TiO,在较低温度下(≤250℃)由于O的扩散速度降低,Ti膜逐步向TiO、Ti2O3、TiO2转变,最后在表面形成了TiO2.O在Ti膜中的扩散速度较块状金属Ti明显加快.结合热力学对Ti膜氧化物结构变化进行了讨论.