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Ag(TCNQ)纳米线的制备和场发射性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用气-液-固反应方法在硅片上制备了取向金属有机配合物Ag(TCNQ)纳米线.样品的XRD特征峰与Ag(TCNQ)相对应;SEM形貌显示纳米线几乎垂直基片生长,直径在50~300nm,长度在2~50μm.初步对其场发射性能进行了研究,所得Ag(TCNQ)纳米线的最低场发射开启电压约为1.5Vμm-1,最大发射电流密度约为0.03mAcm-2,此时对应的电场约为2.5Vpm-1.由测量所得I-Ⅴ曲线得到的FoWler-Nordheim(F-N)曲线近似为一条直线,说明样品具有场发射性能.重复实验表明,Ag(TCNQ)纳米线的场发射具有一定的稳定性.结合纳米线制备工艺,初步分析了场发射性能的影响因素. 相似文献
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采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO2薄膜,在N2气氛下进行了不同温度的退火处理,分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性,为探讨其发光机制,对薄膜的结构进行了表征,XRD、XPS、FTIR谱分析说明样品的发光特性与其结构相对应,394nmPL由GeO缺陷引起,580nmPL与Ge纳米晶粒和基质SiO2界面处的发光光中心相联系。 相似文献
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利用溶液化学反应法制备了准一维微/纳米结构的金属有机配合物Ag(TCNQ);X射线衍射(XRD)表明所制备的Ag(TCNQ)为晶态结构;扫描电子显微镜(SEM)的观察表明Ag(TCNQ)为准一维的微/纳米管或线.首先在自行研制的材料光学性能测试系统上对单根Ag(TCNQ)的光致变色特性进行测试,激光照射后颜色由深蓝变黄;然后利用显微Raman光谱仪对其光致变色机理进行了研究,激光照射后的光谱图中出现了明显的TCNQ分子的特征中性峰.如照射时间较长,超过30s,则TCNQ分子特征峰又消失.因此Raman测试结果证明单根Ag(TCNQ)微/纳米结构具有明显可逆的光致变色特性. 相似文献
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基于p+-Si与n-ZnO纳米线的p-n异质结的制备及其性质研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用CVD蒸汽俘获法,在p^+硅片上制备了垂直生长的n型ZnO纳米线阵列,用XRD和SEM分析了样品的结构与形貌。测试发现样品的I-V曲线符合典型的p-n异质结特性,正向开启电压为0.5V,反向饱和电流为0.02mA。计算了异质结的理想因子η,发现当异质结两端偏压在0V-0.3V的低压区域,理想因子为1.85,而在0.3v-0.8v的高偏压区域,理想因子为8.36。解释了理想因子偏高的原因是由于金属一半导体接触以及ZnO纳米线与p^+-si界而存在缺陷。 相似文献
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