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采用射频磁控溅射方法分别在玻璃、A1片和ITO玻璃上制备出性能优良的TiO2纳米薄膜,研究了薄膜光催化性能.通过XRD、SEM和UV-Vis吸收光谱对薄膜进行表征,研究了不同退火温度和不同衬底对薄膜光催化性能的影响.结果表明:薄膜经500℃退火处理,TiO2由非晶转变为锐钛矿结构,并且退火后薄膜的紫外吸收波长发生红移,光催化降解性能提高;比较玻璃、ITO玻璃和A1为衬底制备的TiO2薄膜,以A1片为衬底的TiO2薄膜,由于形成Schottky势垒,光催化性更好. 相似文献
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退火温度对纳米TiO2薄膜结构和亲水性的影响 总被引:7,自引:1,他引:7
采用射频磁控溅射方法制备出纳米二氧化钛(TiO2)薄膜,研究了不同退火温度对薄膜微观结构和超亲水性的影响.结果表明:退火温度升高,晶粒长大,孔隙率减小;常温制备300 ℃以下退火的TiO2薄膜为无定形结构,亲水性差;400 ℃~650 ℃退火的薄膜为锐钛矿结构,表现出超亲水性;800 ℃退火薄膜为金红石结构,亲水性有所下降. 相似文献
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研究了WO3对Rubrene/C70有机太阳能电池 (OSCs)性能的 改善,制备了结构为ITO/WO3/Rubrene/C70/BCP/Al的OSCs,其中WO3插入在I TO和Rubrene中间作为阳极修饰层。通过优化WO3的厚度,研究了WO3对OSCs性能的改善及其作用机理。实验发现,器件的短路电流Jsc、开路电压Voc、 填充因子(FF)、光电转换效率(PCE)和串联电阻Rs等性能参数随WO3厚度的变化呈规律性变化;当 WO3厚度小于80 nm时,器件PCE随着厚度的增加不断增大;当W O 3厚大于80 nm时,器件PCE随着厚度的 增加不断减小;当WO3厚度为80 nm 时,器件PCE达到最高为1.03%, 相应的J sc、Voc、FF分别为2.81mA·cm-2、 0.83V、43.85%,Rs为45.3Ω·cm2,对比没有WO3修饰层, 器件的Jsc、Voc、FF和PCE分别提高了31%、137%、17%,Rs降低了33%。 相似文献
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用射频磁控溅射方法在未进行人为加热的石英玻璃衬底上,生长了良好c轴择优取向的ZnO多晶薄膜。研究了该ZnO薄膜的晶粒大小与其荧光光谱的关系,发现369nm的本征峰和406nm的缺陷峰随着薄膜晶粒的增大晶界应力的增加而出现红移,但469m的缺陷峰峰位却基本保持不变,并对各峰的形成和强度大小的变化规律作出了相应的解释。 相似文献
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采用固相二步合成法制备SiO2掺杂Pb(Mg1/3Nb2/3)0.05(Mn1/3Nb2/3)0.04(Mn1/3Sb2/3)0.01Zr0.45Ti0.45O3(PMMNS)压电陶瓷,探讨了不同SiO2掺杂量对陶瓷样品的相结构和机电性能的影响。结果表明:在烧结温度为980℃时,可以得到纯钙钛矿结构PMMNS陶瓷。SiO2的加入,明显降低了PMMNS陶瓷的烧结温度。当SiO2的掺杂量为质量分数0.10%时,所得性能最佳:kp=0.51,d33=323pC/N,Qm=1475,tanδ=0.0038和εr=1762。 相似文献
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采用PECVD 玻璃基片上制备出适合研制气敏感传感器的低电阻率SnO2薄膜,X-线衍射分析表明沉积温度由高到低时,SnO2薄膜从多晶态转变为非晶态,同时薄膜的电阻增加。X光电子能谱显示这种SnO2薄膜是一种非化学计量配比成分的薄膜,其分子式为SnO2x,沉积时,氧气流量增加,该薄膜的电阻率随之增加。掺Sb的SnO2薄膜对一氧化碳和酒精具有良好的气敏特性。 相似文献
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本文介绍一种以C2051单片机为核心,在PC机上显示和调控的智能温度测控仪工作原理及硬软件设计方法。 相似文献
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锰掺杂对PZNT相结构和机电性能的影响 总被引:2,自引:1,他引:1
采用二步合成法制备了Pb(Zn1/3Nb2/3)0.20(Zr0.52Ti0.48)0.80O3+xMnO2压电陶瓷,探讨了不同剂量锰掺杂对陶瓷样品的相结构和机电性能的影响.结果表明,在1 200℃下烧结2 h,可得到处在准同型相界附近纯钙钛矿结构的压电陶瓷;随着MnO2掺杂量的增加,试样的压电常数d33和机电耦合系数kp先增大后减小,当掺杂w(MnO2)=0.2%时,d33和kp均达到最大值,分别为250 pC/N和0.52;而介电损耗tan δ持续下降,机械品质因数Qm则持续上升.当掺杂w(MnO2)=0.5%时,tan δ达到最小值,Qm达到最大值,其值分别为0.004 6和1434. 相似文献