基于LabVIEW的载流子迁移率测试系统的设计

针对传统测试方法所存在的局限性,根据线性增压载流子瞬态谱(CELIV)这一原理,以LabVIEW8.60为平台设计半导体载流子迁移率测试系统.介绍了系统的硬件、软件构成,详细介绍了软件的设计及功能实现.测试结果表明,该系统具有较好的数据采集、数据保存、显示功能与可操作性,同时软件具有参数设置灵活、可二次开发等优点.     

蓝光过滤多层功能薄膜的遗传算法设计

目的设计出一种在380~455 nm波段具有高反射率,但在500~760 nm波段具有低反射率的多层薄膜结构。方法采用遗传算法,采取截断选择策略,并引入小生境技术,选择灵活性较好的容差型评价函数,通过改变目标反射率,使功能薄膜在可见光波段具有增透与增反两种特性。采用八层不同折射率材料交替结构,计算得出满足光谱特性要求的全局膜系结构参数。结果当材料为硫化锌和氟化镁,厚度为324、142、68、46、51、51、56、145 nm时,380~455 nm波长处的平均反射率高达88.54%,500~760 nm波长处的平均反射率仅为2.00%。由几种常用光学薄膜材料的不同搭配,发现材料的折射率差与两波段的平均反射率差呈现相同趋势。当两种材料的折射率差为0.92时,两波段的平均反射率差为86.54%。结论采用的遗传算法可以简单有效地对多层薄膜结构进行优化,为获得较为理想的蓝光过滤功能薄膜,应尽可能选择折射率差大的两种材料。     

用PECVD技术低温低氢稀释快速生长纳米晶硅薄膜的研究

以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在300℃的低温下,研究不同的氢流量对纳米晶硅薄膜生长特性的影响.实验发现,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢流量的减小而增加;而薄膜的生长速率也强烈依赖于氢流量,随氢流量的减小而增大,与氢流量对薄膜晶化度的变化关系一致.通过调控氢流量,在低氢流量条件下获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高达76%的晶化硅薄膜.     

用SiCl_4/O_2-PECVD技术低温沉积Si基厚SiO_2薄膜

选取不含 H2 的 Si Cl4 / O2 混合气体作为反应源气体 ,并利用普通的 PECVD技术来实现低温沉积 Si基微米厚度的 Si O2 薄膜 ,测试并分析薄膜的红外吸收谱以及工艺参数对沉积过程的影响。     

氢等离子体加热法晶化a-Si:H薄膜

利用氢等离子体加热晶化n^ -a-Si：H／a-Si：H薄膜．可以在450℃的衬底温度下制备多晶硅薄膜。采用X射线衍射谱、Raman散射谱和扫描电子显微镜等手段进行表征和分析,研究了不同退火条件对薄膜晶化的影响。结果表明。随着射频氢等离子功率的提高、衬底温度升高和退火时间的增加,薄膜的晶化度呈现出增加趋势。     

液晶显示用新型偏光片紫外光谱特性研究

通过测量ITO玻璃及偏光片对各波段紫外光的光谱特性，分析比较一般偏光片和防紫外偏光片F1225DU的紫外透射光谱，从而说明新型偏光片的防紫外特性。F1225DU对紫外线有比较好的吸收，能挡住各种波长的紫外光，起防止紫外光破坏液晶显示器件的作用。     

SiCl4-H2为气源低温制备多晶硅薄膜

以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体化学气相沉积技术 ,在衬底温度仅为 2 0 0℃时能获得多晶硅薄膜。最大晶粒达 1.5 μm ,结晶度在 90 %以上。薄膜中不含Cl、H、C、N、O等杂质 ,暗电导率高达 10 -4Ω-1·cm-1,光照稳定性好。对氯元素在低温成膜中的作用进行初步讨论。     

介绍一种钢丝考核方法

介绍适于多品种、小批量钢丝生产的考核方法———折算系数考核法，该法在核定设备折算生产量以及促进生产作业计划完成方面起了很好的作用。     

用SiCl4／O2—PECVD技术低温沉积Si基厚SiO2薄膜

选取不含H2的SiCl4/O2混合气体作为反应源气体,并利用普通的PECVD技术来实现低温沉积Si基微米厚度的SiO2薄膜,测试并分析薄膜的红外吸收谱以及工艺参数对沉积过程的影响。     

不同工作参数下Ni/Ag双层膜GDOES深度谱的比较

随着射频辉光放电光谱仪在镀层和薄膜深度剖析中的应用逐渐深入,人们对其工作原理、设置参数对测试的影响也越来越关注。本文通过在不同气体工作压强和溅射功率下,对镍/银双层膜样品进行了辉光放电深度剖析的实验,探讨了自偏压与工作压强和溅射功率的关系。实验结果表明,自偏压随工作压强的增加而减小;随着溅射功率的增加,溅射速率随之增加,在特定的工作压强下会出现一个最大的溅射速率;溅射坑的形貌主要取决于气体的工作压强。