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采用溶剂蒸发法生长出透明的带隙宽度为2.96 eV的γ-CuI晶体。在紫外光激发下, 该晶体在410、430 nm处分别呈现有近带边发射峰, 另在720 nm附近还出现一个与样品碘缺陷有关的宽发射带。经碘退火后, 样品720 nm发射带被基本抑制, 而在420 nm处出现了一个更强的近带边发射峰。使用扫描相机分别测量了γ-CuI晶体各发射峰(带)的衰减时间谱, 其中近带边发射峰的发光衰减时间常数均在数十皮秒量级, 表明γ-CuI晶体具有极快的时间响应特性; 而720 nm发射带的发光衰减时间常数主要在数十纳秒量级。X射线激发下, γ-CuI晶体具有435 nm近带边发射峰和680 nm发射带, 其近带边发射对X射线能量响应的测量结果表明, 当EX<49.1 keV时, γ-CuI晶体闪烁光快分量对X射线的探测效率相对较高。 相似文献
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