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区域熔融技术在InSb薄膜热处理中的应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对真空分层蒸镀的InSb薄膜进行了区域溶融热处理,与普通升温热处理相比,薄膜的结晶度和电学性能有较大的提高。应用成膜理论分析了区域熔融技术对于InSb薄膜结构和性能的影响。 相似文献
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采用有限元方法研究在不同压阻工作温度下压阻掺杂浓度对高gn加速度计动态冲击性能的影响。结果表明:器件动态冲击响应是受迫振动与悬臂梁固有振动叠加的结果,且压阻灵敏度系数与工作温度成正比。当T〈20℃时,悬臂梁固有振动明显,并且,器件动态冲击响应峰值电压随着压阻掺杂浓度升高而降低;当r在20℃附近,峰值电压随掺杂浓度变化不明显;当T〉20℃时,随着温度升高,悬臂梁固有振动频率渐受压制,传感器动态冲击响应渐表现为受加速度冲击受迫振动,且峰值电压随掺杂浓度提高而增大。在1×10”~1×10^21cm^-3。范围内,在0,20,100℃时,峰值电压差值分别为2,0,9mV。 相似文献
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设计了一种基于H.264标准的CAVLC解码器,码流输入单元采用桶形移位器,以实现单周期解一个句法元素,在各解码模块中采用码表分割、算术逻辑替代查表、零码字跳转等关键技术,在减少路径延迟和提高系统吞吐率的同时,节省了硬件开销。整个设计采用Verilog语言实现,在XILINX的ISE8.2开发环境下通过FPGA验证,使用Design Compiler在SMIC0.18μm CMOS单元库下综合,时钟最高频率可以达到165MHz。本设计可满足实时解码H.264高清视频的要求。 相似文献
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在分析常规带隙基准电路的基础上,设计了一种带曲率补偿可调节的带隙基准电压电路,并且具有良好的温度系数。电路设计和仿真工具使用Cadence的Spectre。采用SMIC标准0.25μmCMOS工艺。电路中包含的运放为两级放大电路,开环增益为85dB。带隙基准电压电路采用并联电阻的简单电路实现了有效的曲率补偿,在2.5V工作电压下,-25~125℃,TC=3.10ppm/℃,功耗为0.859mW。电路也可以在1.2V电压下工作,-25~125℃,TC=5.34ppm/℃,功耗为0.36mW。 相似文献
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氮化硅薄膜的PECVD生长及其性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用PECVD法,反应温度为250℃,反应气体为NH3,SiH4,在抛光硅片上沉积0.2~0.4μm厚的氮化硅薄膜。对这种Si3N4薄膜的光学性能和电学性能进行了测试,其光学折射率为1.875,电阻率及击穿场强分别为8×1016Ω·cm及1×107V/cm,并用FTIR谱分析了薄膜的化学结构。 相似文献
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本文采用氯苯浸泡法对(0.2~2.0)μm的Al、Au溅射薄膜进行剥离,分析了光刻胶厚度和薄膜厚度与剥离图形的关系,对剥离过程中氯苯浸泡工艺以及溅射工艺对剥离图形的影响进行了研究,并在2.0μm厚的Al和Au溅射薄膜上剥离出8.0 μm的缝隙. 相似文献
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光热微执行器广泛应用于光学微机电系统和微机器人。利用功能染料的窄带吸波特性制作可控制性强、位移大的波导式激发光热U型微执行器,并仿真了该执行器的温度和位移变化。制作了单臂长度和半径分别为5.8 mm和200μm的窄波段响应光热微执行器。实验结果表明,本方案制作的执行器具有位移响应大、能量利用率高、生产成本低以及集成度高的优势。在功率为100 mW激光的驱动下,该执行器自由端能在紫光(408 nm)或红光(638 nm)波段实现100~160μm的位移,远大于非对应波段光束产生的位移(20μm)。 相似文献
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液晶材料在微波频段具有良好的调制特性,在微波可调谐器件领域具有巨大的应用潜力。本文针对液晶材料微波介电常数的测量需求,提出了一种基于人工局域表面等离激元谐振的传感器。通过设计环形谐振器结构,在sub-6 GHz频段形成局域表面等离激元窄带谐振峰。通过给液晶施加外加电场,能够实现对液晶介电常数的调控。通过谐振频点位置的拟合,能够得到对应的液晶的介电常数大小,从而实现液晶材料在微波频段的介电常数的测量。本文研究了不同液晶层厚度、不同液晶介电常数对人工局域表面等离激元谐振频点的影响。随着液晶层厚度增加或者液晶介电常数的减小,谐振频点f1和f2都逐渐增大。当液晶层厚度大于或等于0.5 mm时,谐振频点f1和f2随介电常数的变化具有良好的线性度,且具有高灵敏度(>400 MHz/Δε),远大于基于目前报道的其他形式介电常数传感器。同时,本传感器结构可以在液晶层上下施加电场,从而实现在不同外加电场作用下液晶材料微波介电常数的测量,在液晶微波特性研究领域具有应用潜力。 相似文献
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本文采用MonteCarlo(MC)方法对S-枪溅射NiCr薄膜过程进行了计算模拟,得到了沉积粒子在基片上的厚度分布,讨论了不同沉积参数对薄膜厚度分布的影响。 相似文献