两种集成高频CMOS多谐压控振荡器

提出了两种压控振荡器,一种为差分形式,另一种为压控环结构．采用CSMC公司0.6μm标准CMOS工艺进行模拟,后仿真的结果显示,压控环结构的最高频率达到2GHz,在5V电源下的功耗为7.5mW．对压控振荡器的实现方法进行了分析比较,总结了高性能压控振荡器应具备的条件,并讨论了特定工艺下压控振荡器的极限频率．     

一种采用电压补偿技术的DC/DC开关电源软启动电路

提出了一种采用BiCMOS工艺和电压补偿技术实现的软启动控制电路。该电路消除了浪涌电流现象，避免了开关电源重启动。HSPICE模拟表明，对于一个输入电压为10V、输出电压为3.3V的降压型开关电源系统，负载电流为3.3A的条件下，利用该软启动电路，电感电流和输出电压近似分别以3.3mA/μs和2.5mV/μs速度平稳上升，表明该软启动电路的控制能力很强。此控制思想和结构适合各种DC/DC开关电源的软启动电路设计。     

2-GHz CMOS射频低噪声放大器的设计与测试

本文采用CMOS工艺,针对无线通信系统前端(Front-end)的低噪声放大器进行了分析、设计、仿真和测试.测试结果表明,该放大器工作在2.04-GHz的中心频率上,3dB带宽约为110MHz,功率增益为22dB,NF小于3.3dB.测试结果与仿真结果能够很好地吻合.     

一种基于物理模型与遗传算法的平面螺旋电感的优化技术

针对 CMOS RF平面螺旋电感的物理模型 ,提出了一种使用遗传算法优化电感设计参数的优化技术 .应用这种技术 ,人们无需再通过等 Q值线来求取 Q值最佳的电感设计方案 ,因为等 Q值线的计算代价很高 ,而且一旦工艺条件改变 ,所有的等 Q值线都要重新计算 ,效率很低 .而这里提出的优化技术在计算时并没有将所有的电感版图设计方案都计算一遍 ,因而计算效率大大提高 .计算结果与相应设计方案的测量参数比较 ,只有约 5 %的计算误差 .计算结果与相同条件下的等 Q值线的最佳设计方案比较 ,这种优化技术总能得出与之基本一致的最佳方案 .事实上 ,由于这种优化技术     

一种基于混沌的真随机源电路

提出了一种基于混沌的随机源电路,通过利用电容上电荷的再分配,实现了一个离散混沌系统.该电路在0 .8μm CMOS工艺下流片成功,核心面积小于4 2 0 0 μm2 ,功耗小于1m W,优于目前已有的几种实现方法.     

2.4GHz零中频接收机中正交相位的自校准设计

提出了实现在一个2.4GHz零中频接收机中的一种正交相位自校准方法.这种方法基于一个采用提出的正交相位检测器的延迟锁定环路来大大减小正交相位误差.该接收机采用0.18μm CMOS工艺实现.测试结果显示正交相位误差可以被校准到1°以内,满足了系统的要求.     

频率覆盖3.2～6.1 GHz的CMOS LC VCO

通过提高MIM电容的调整范围,实现了一个覆盖3.2～6.1 GHz的CMOS LC VCO.该VCO使用0.18μm射频CMOS工艺制作,芯片面积约为1260μm×670μm.当输出5.5GHz时,VCO内核消耗功率为17.5mW;在100kHz频偏处的相位噪声是～101.67dBc/Hz.     

椭圆曲线密码处理器的高效VLSI设计与实现

采用复合武硬件设计方法，通过数学公式推导和电路结构设计，完成了一款GF（2m）域椭圆曲线密码处理器的高效VLSI实现。以低成本为目标，对算术逻辑模块的乘法、约减、平方、求逆，以及控制电路模块都进行了优化设计。按照椭圆曲线密码的不同运算层次，设计了不同层次的控制电路。该处理器综合在中芯国际SMIC0．18μm标准工艺库上．比相关研究的芯片面积节省48％，同时保证了很快的速度。     

具有高可调增益范围的CMOS宽带中频调制器

利用TSMC 0 .2 5 μmCMOS混合工艺 ,针对超外差结构的无线宽带收发器 ,实现了一个能够工作在 5 0～6 0 0MHz的中频调制器 ,并对该调制器进行了仿真和测试。由于该调制器在输出端采用了一个具有高可调增益范围而且鲁棒性能好的可变增益放大器 (VGA) ,从而使得该调制器具有超过 70dB的增益可调范围。测试结果表明 ,该调制器能够工作在 5 0～ 6 0 0MHz的频率上 ,输出功率为 - 81～ - 10dBm ,最小增益的输出噪声为 - 130dBm/ Hz,最大增益的输出P1dB点为 - 4 .3dBm ,在 3V的电源电压下 ,电流功耗为 32mA。     

集成的B iCMO S DCöD C 开关电源控制器 输出驱动电器的低功耗设计

为使DC／DC开关电源的功率开关管及时地导通或截止,需要设计专用的输出驱动电路,基于整个开关电源系统低功耗的考虑,开关电源可以采用同步整流的拓扑结构。该拓扑结构需要一个电压自举的输出驱动电路,本文首先提出了一种有自举功能的BiCMOS工艺的输出驱动电路,在此基础上,采用电流源和电流沉串联的方式改进了前面提出的输出驱动电路,通过消除CMOS电路的瞬态短路导通现象,不仅降低了该电路模块的功耗,而且起到了保护的作用,经HSPICE模拟表现,开关电源的输入电压Vin为10V控制器内部电压（VL）为5V,开关频率为200kHz时,改进驱动电路的功耗降低了约11．5％,同时避免了瞬态短路导通现象。