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光致发光技术在Si基太阳电池缺陷检测中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
太阳电池的缺陷往往限制了其光电转化效率和使用寿命。利用光致发光原理获取晶体Si太阳电池的荧光照片,用以诊断其缺陷。外界的光能在Si中被吸收,产生非平衡少数载流子,而一部分载流子的复合是以发光形式来完成的。发出的光子可以被灵敏的CCD相机获得,得到太阳电池的辐射复合分布图像。这种光强分布反映出非平衡少数载流子的数目分布,裂痕和缺陷处表现为较低的光致发光强度。这里关注的是单晶Si太阳电池的检验。在室温条件下电池的裂痕和缺陷可以快速予以检测,验证了"光致发光效应"有潜力成为流水线式检测产品的手段。 相似文献
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晶体硅片上激光打孔的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
背面接触太阳电池越来越多地被人们关注,这种电池增加了使用激光器在硅片上打孔工艺。选用了半导体激光器作为光源在晶体硅片上进行打孔实验。通过调节激光器的功率、离焦量、脉冲重复频率等参数并分析其对打孔的影响。在激光打孔后,对硅片使用显微镜测试来分析打孔大小、形貌和损伤区,并优化打孔的参数。通过实验证实孔的入孔直径和出孔直径都随激光能量的增大而增大。随着离焦量的增大,出孔直径先增大后减小,且出孔直径越大时孔附近的破坏区域越小。脉冲重复频率的变化由于影响激光能量而影响孔径。另外,脉冲重复频率过大时,激光能量仍然比较大,但却打不穿硅片。 相似文献
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常规太阳电池表面由于扩散浓度高,导致载流子复合严重,电池转换效率很难提高,目前高方阻密栅线工艺是提高产业化太阳电池转换效率的重要途径之一。通过扩散工艺很容易实现高方阻,难点在于优化电池正面网版参数,得到最优的栅线形貌及高宽比。针对该问题,基于丝网印刷网版参数,研究不同感光胶EOM膜厚、网版纱度、网版目数、下墨量对单晶硅太阳电池栅线印刷的影响,使用扫描电子显微镜(SEM)和激光共聚焦显微镜(LSM)观察了栅线的形貌、高宽比。结果表明感光胶并非越厚越好,当感光胶厚度达到20μm时栅线的高宽比达到最优,此时电池的转换效率最高;当网版目数、线径相同时纱厚较小的网版印刷出的栅线较均匀;当网版目数、线径均不同时,下墨量大的网版具有优势。 相似文献
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凡金星 施正荣 张光春 杨健 陈如龙 李果华 Fan Jinxing Shi Zhengrong Zhang Guangchun Yang Jian Chen Rulong Li Guohua 《半导体技术》2012,37(3):192-196
提出了一种简单有效的制备双层SiNx薄膜的方法,其薄膜具有良好的减反射钝化特性。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,通过控制SiH4和NH3气体流量比,在p型多晶硅衬底上生长单层及双层SiNx膜。随后使用薄膜测试分析仪测量了薄膜的厚度、折射率及反射率,并用Semilab WT-2000测量少数载流子寿命,通过测量量子效率,对单、双层膜电池进行了比较。实验结果表明:相比单层减反射钝化膜,采用双层SiNx膜,少数载流子寿命可以得到更好的改善,开路电压可提高约2 mV,短路电流可提高约40 mA,电池效率能提高0.15%。 相似文献
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阐述了FRAMIT绕组频率响应测试仪的基本工作原理,给出了绕组变形的判断依据和方法,并对变压器绕组图谱进行了实例分析. 相似文献
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为研究多脉冲激光的热累积效应对硼掺杂纳米硅薄膜熔覆过程的影响,采用单温模型,利用三维有限元方法对激光与硅薄膜的相互作用过程中温度场的分布进行了数值模拟,得到了多脉冲激光耦合情况下的温度场变化规律。仿真结果表明:与单脉冲相比,在多脉冲激光作用下,峰值温度增加了3.2%,熔池尺寸扩大了18.75%,同时热影响区范围也明显增加;激光辐照后,熔覆层表面温度下降,但基体温度仍会继续上升,多脉冲热累积效应为纳米硅薄膜中硼元素扩散提供了有利条件。最后,通过单脉冲及多脉冲激光熔覆实验,分析了熔覆硅薄膜后的熔覆层表面状况的差异,并获得了激光熔覆辅助硼元素扩散的一般规律,为硼掺杂纳米硅薄膜的激光辅助扩散技术在半导体器件中的应用提供了条件。 相似文献