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为了设计合理高效的时钟树网络,对建立和保持时间约束以及时钟偏差进行分析,基于28 nm工艺设计了一款高速数字芯片,采用Innovus工具实施布局布线,在时钟树综合(CTS,clock tree synthesis)阶段采用CCOpt(clock concurrent optimization)技术,合理利用时钟偏差,同时优化时钟路径和逻辑路径,对时钟网络进行优化,并考察时钟树延时、时序和时钟网络功耗等指标。结果标明:与传统CTS技术相比,采用CCOpt技术时,最差时序违例和违例路径数量减少50%;布局布线时间减少2 h;芯片时钟网络内部互连功耗减少55%,泄漏功耗减少80%,有效提高了数字芯片的性能。 相似文献
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针对纳米级设计中时钟偏移大、时序不容易收敛等问题,提出了一种有效的时钟树综合(CTS)优化方案。以28 nm工艺的数字芯片为例,根据其时钟结构特点,将CTS过程分成两步完成。利用这种方法,采用Cadence公司的APR工具Encounter对数字模块进行时钟网络的设计;对分步CTS和传统CTS两种方法进行比较。结果表明:使用分步CTS的时钟偏移减小了52%,提高了时钟网络的性能,从而时序得到了很大的改善,芯片泄漏功耗也降低了45%。 相似文献
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提出了一种符合ISO/IEC 18000-6B标准的高性能无源UHF RFID电子标签模拟前端,在915MHz ISM频带下工作时其电流小于8μA.该模拟前端除天线外无外接元器件,通过肖特基二极管整流器从射频电磁场接收能量.该RFID模拟前端包括本地振荡器、时钟产生电路、复位电路、匹配网络和反向散射电路、整流器、稳压器以及AM解调器等.该芯片采用支持肖特基二极管和EEPROM的Chartered 0.35μm 2P4M CMOS工艺进行流片,读取距离大于3m,芯片面积为300μm×720μm. 相似文献
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提出了一种新的红外焦平面阵列调整电路(skimming)设计。新的调整电路包括MEMS像元模块和非均匀性校正模块。该电路能够减少阈值电压对传统调整电路的影响,以及对探测器制造工艺引入的非均匀性进行补偿。MEMS像元模块通过控制明像元电路和盲像元电路中的电压值用于调节电路本身的非均匀性,同时非均匀性校正电路用以弥补探测器制造过程引入的像元电阻非均匀性。该电路应用于阵列为640×480的红外焦平面阵列上,采用TSMC 0.18 μm工艺进行设计、仿真。仿真结果表明:MEMS像元模块能够使明像元电路和盲像元电路具有一致性;明像元电阻的非均匀性小于3 %,最大积分电流失调为200 nA,非均匀性校正模块的补偿电流大于200 nA,符合设计要求,使得调整模块输出电流变大,积分电压变大,达到显示效果变亮的目的。 相似文献
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针对脉搏波信号幅度小噪声大等问题,提出并设计了一款基于CMOS的脉搏血氧采集传感器信号处理电路.采用UMC 0.18 μm 1P6M CMOS工艺进行设计,提出一种能有效放大微弱信号、减小噪声且滤除高频信号的信号处理电路,从而使信号达到模数转换的输入范围.芯片测试结果表明:该芯片在1.8V单电源的供电下,输出动态范围为0.7V~1.4V,芯片的可变增益范围为30 dB~54 dB,共模抑制比和电源抑制比均大于88 dB,芯片的总体功耗为360 μW,达到了预期的效果. 相似文献
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为提高温度传感器测量精度以及测量灵敏度,设计了一款正反馈式片上温度传感器.本款温度传感器在PTAT电流源基础上,增加了运算放大器正反馈结构,克服了传统温度传感器输出电压范围较小、精度较低的缺点,对器件由于温度变化产生的微弱信号进行进一步放大,使输出电压范围极大增加,提高了测量精度以及灵敏度,进而对芯片内温度进行精准监测... 相似文献
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非制冷红外焦平面阵列(IRFPA)读出电路由于工艺制造或受环境条件的影响在正常运行时会产生非均匀性。针对传统电路存在的非均匀性问题,设计了基于12μm像元的非均匀性校正电路,该新型非均匀校正电路采用共源共栅电流镜产生电流,并且通过调节比例电流支路输出不同比例的电流,加入放大器负反馈结构提高电流精度,对像元阵列产生的非均匀性进行补偿。在TSMC 0.18μm工艺条件下进行仿真测试,新型校正电路进行校正之后,校正电流为368 nA。积分电流为44.24 nA,积分电路(CTIA)输出电压为3.81 V,积分时间缩短为255.43 ns,在不同的温度条件下,非均匀性问题降为3%以下,输出电压更稳定,满足设计条件。 相似文献