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驱动电流对大功率白光LED荧光粉转换效率的影响 总被引:2,自引:2,他引:2
对4种1W白光功率LED进行了100~900mA的变驱动电流光学特性试验。分析了荧光粉转换效率随驱动电流变化的内在机理,一是由于驱动电流增大导致蓝光芯片内量子限制斯塔克效应引起峰值波长蓝移,致使蓝光与荧光粉的匹配程度降低;二是由于驱动电流增大导致器件温度升高,荧光粉的非辐射增多,且其激发态能级分裂加剧,导致部分能量降低,黄光波长出现红移现象。通过分析上述两种因素的综合作用,得出了荧光粉转换效率随驱动电流变化的规律,并据此提出改进白光LED驱动电流特性的建议。 相似文献
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The high power light emitting diodes(LEDs) based on InGaN and AlGaInP individually are tested on line at temperatures from -30 to 100℃.The data are fitted to measure the relationship between temperature and the properties of forward voltage,relative light intensity,wavelength,and spectral bandwidth of two different kinds of LEDs.Why these properties changed and how these changes reflected on applications are also analyzed and compared with each other.The results show that temperature has a great influence on the performance and application of power LEDs.For applications at low temperature,the forward voltage rising and the peak wavelength blue-shifting must be considered;and at high temperature,the relative light intensity decreasing and the peak wavelength red-shifting must be considered. 相似文献
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制作了8milX 10mil的InGaN/GaN 蓝光LED(λ=460nm),采用了真空蒸镀在P-GaN上淀积了240nm的ITO。对不同温度下(100℃至550℃)热退火ITO的电学特性和光学特性进行了比较分析。实验发现,450℃下热退火ITO电阻率低至1.19X10-4Ω?cm,而此温度下得到高透射率94.17%。在20mA注入电流下,正向电压和输出功率分别为3.14V and 12.57mW。另外,550℃ITO退火下制备的LED光通量最大,为0.49lm,这是因为此温度下透射率较大。 相似文献
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基于深隔离槽刻蚀的高压发光二极管制造 总被引:1,自引:1,他引:0
在制作高压发光二极管(HV LED)时,为了将数个独立的LED 串联起来,需要将GaN进行电感耦合等离子(ICP)深隔离刻蚀。本文制作了隔离槽深度为5um,台面侧壁为79.2?的GaN基HV LED。刻蚀表面和结构侧面的形貌通过激光显微镜和扫描电子显微镜进行观察分析。在形成金属接触并退火之后,测量HV LED输入电流-正向电压曲线,分析了其电学特性。与传统LED相比,I-V曲线趋势一致;相同尺寸和发光面积下,接触电阻下降了4.6Ω,而输出功率提高了5W。结果表明,可以应用于实际生产 相似文献
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缅甸翡翠加热处理的特征研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为研究缅甸翡翠中的哪些部位适合做烧红处理以及该部位能被烧红的原因,采用加热实验、偏光显微镜、红外光谱及差热分析方法对缅甸翡翠样品的原生部位、雾部位的加热前、后的特征进行了测试与分析。结果显示,翡翠中的蓝雾部位及黄雾部位适合做烧红处理,原生部位不适合烧红处理,蓝雾部位可以被烧成黄色及红色,黄雾部位可以被烧成红色。雾部位适合用来做烧红处理的原因在于,在低温的加热条件下,蓝雾部位中的大量的Fe2+发生价态变化,实现由绿泥石向针铁矿的转变所导致,该过程由表及里逐步进行。原生部位的主要矿物硬玉需被加热更高的温度,在破坏其晶格的情况下,才可以呈现出红色,且该红色不具有褐色调。 相似文献
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根据最新版国家标准(GB/T16552—2003),浸蜡的翡翠归为处理类。上蜡是翡翠加工中一项必不可少的工序。对含蜡翡翠究竟定义为传统的优化(“A货”)还是人工处理(“B货”)类型的判定问题,迄今仍众说纷纭。因此,测定翡翠中蜡的质量分数成为了其鉴定的重点。通过配置含不同质量分数川蜡的翡翠的KBr压片样品以及测定支配样品的红外光谱,运用基线法求出川蜡在2919cm^-1处的吸光度,得出其质量分数(C)与吸光度/KBr压片厚度(E/L)之间的关系方程式:E/L=1334.5C-0.068,提出了翡翠中川蜡质量分数的定量测试方法。 相似文献
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