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Different processes are used on the back surface of silicon wafers to form cells falling into three groups:textured, planar, and sawed-off pyramid back surface.The characteristic parameters of the cells, ISC, VOC, FF, Pm, and Eff, are measured.All these parameters of the planar back surface cells are the best.The FF, Pm, and Eff of sawed-off pyramid back surface cells are superior to textured back surface cells, although ISC and VOC are lower.The parasitic resistance is analyzed to explain the higher FF of the sawed-off pyramid back surface cells.The cross-section scanning electron microscopy(SEM) pictures show the uniformity of the aluminum-silicon alloy, which has an important effect on the back surface recombination velocity and the ohmic contact.The measured value of the aluminum back surface field thickness in the SEM picture is in good agreement with the theoretical value deduced from the Al-Si phase diagram.It is shown in an external quantum efficiency(EQE) diagram that the planar back surface has the best response to a wavelength between 440 and 1000 nm and the sawed-off back surface has a better long wavelength response. 相似文献
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通过比较蒸发铯和浸渍铯在MIS/IL硅太阳电池中所引入的铯量、固定正电荷量、界面态密度和对太阳电池表面面电阻的影响,以及测量上述诸量和太阳电池的主要参数经紫外辐照后的变化,并从表面能带的角度分析了引入铯对太阳电池的紫外辐射稳定性的影响,解释了在MIS/IL硅太阳电池中引入铯使该器件耐紫外辐射性能提高的原因。 相似文献
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染料敏化太阳电池中敏化剂光吸收性能的探讨 总被引:1,自引:1,他引:1
对染料敏化太阳电池中敏化剂(钌有机络合物)的已有光吸收实验结果进行了分析,并根据分子轨道的基本理论,提出通过改变钌有机络合物配位体取代基的方法,增强其吸收光谱红移,达到提高光吸收能力的目的。 相似文献
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研究了以WSi0.6复合材料作为靶源,采用直流空溅射工艺成膜,不同退火温度下GaAs衬底材料上WSi0.6膜层的特性。包括WSi0.6/GaAs系统断面SEM分析,AES界面机构分析、表面形貌分析及金属-半导体肖特基势垒特性分析,实验结果表明,在氩气压力为133Pdisplay status 相似文献
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本文以光生电子处于非稳态的观点,分析了透射式GaAs光电阴极的响应时间,从理论上解释了C.C.Phillips等人的测量结果。指出透射式GaAs光电阴极是一种可用于时间响应为皮秒量级的良好光电阴极。 相似文献
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根据计算得出的MIS/IL p-Si太阳电池的表面面电阻与固定正电荷、界面态间的关系,分析了太阳电池栅间距的尺寸范围,并实测了该电池的固定正电荷密度、界面态密度和表面面电阻及电极栅间距对其性能的影响。 相似文献