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LiNbO3:Fe:Ni晶体非挥发全息存储研究 总被引:1,自引:3,他引:1
采用三种不同的双光记录方案进行了LiNbO3:Fe:Ni晶体全息存储实验.详细研究了饱和衍射效率、固定衍射效率、动态范围和记录灵敏度,以及退火条件对记录的影响。结果表明,氧化LiNbO3:Fe:Ni晶体的饱和衍射效率、固定衍射效率和记录灵敏度比其他报道的双掺杂LiNbO3晶体高。结合掺杂能级图,理论分析了LiNbO3双掺杂晶体深陷阱中心能级的相对位置及其微观光学参量对全息记录性能的影响。LiNbO3:Fe:Ni晶体有望成为一种新的高效率非挥发全息存储材料。 相似文献
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LiNbO_3∶Fe∶Ni晶体非挥发全息存储研究 总被引:1,自引:2,他引:1
采用三种不同的双光记录方案进行了LiNbO3∶Fe∶Ni晶体全息存储实验,详细研究了饱和衍射效率、固定衍射效率、动态范围和记录灵敏度,以及退火条件对记录的影响。结果表明,氧化LiNbO3∶Fe∶Ni晶体的饱和衍射效率、固定衍射效率和记录灵敏度比其他报道的双掺杂LiNbO3晶体高。结合掺杂能级图,理论分析了LiNbO3双掺杂晶体深陷阱中心能级的相对位置及其微观光学参量对全息记录性能的影响。LiNbO3∶Fe∶Ni晶体有望成为一种新的高效率非挥发全息存储材料。 相似文献
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ZrO2/SiO2双层膜膜间渗透行为初步研究 总被引:4,自引:0,他引:4
用溶胶-凝胶技术,采用提拉镀膜法在K9玻璃基片上镀制了ZrO2/SiO2双层膜和SiO2/ZrO2双层膜,研究了这两种膜层之间的渗透问题。用X射线光电子能谱仪(XPS)测量了薄膜的成分随深度方向的变化,用反射式椭偏仪对X射线光电子能谱仪测得的实验结果进行模拟与验证。结果表明,用X射线光电子能谱仪测得的实验结果建立的椭偏模型,模拟出来的椭偏曲线和用椭偏仪测量出来的椭偏曲线十分吻合;对于ZrO2/SiO2双层薄膜,膜层间的渗透情况不是很严重,在薄膜界面处薄膜的成分比变化非常明显,到达一定深度后薄膜的成分不再随深度的变化而变化;SiO2/ZrO2双层膜膜层界面间的渗透十分严重,渗透层的深度比较大,底层几乎发生了完全渗透。 相似文献
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采用溶胶凝胶方法在K9 玻璃基片上镀制了SiO2 增透膜,并对其中一些样品进行了氨处理.分别采用原子力显微镜、红外光谱仪、椭偏仪、透射式光热透镜测试了氨处理前后薄膜的微观表面形貌、化学结构、折射率和弱吸收.实验结果表明:经氨处理后薄膜的孔隙率从0.73 降低到0.63 ,其弱吸收从67.88 ×10 -6 增加到74.58 ×10 -6 ,薄膜的激光损伤阈值从处理前的18.0 J/cm 2 降低到16.9 J/cm 2 .考虑到氨处理能提高SiO2 增透膜的机械性能,实际应用中应根据需要折中处理. 相似文献
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基于ANSYS平台,对激光辐照熔石英的过程进行动态模拟,分析了温度场和熔池形状、应力场的变化及残余应力分布,并对高温退火去应力的情况进行了仿真。结果表明,激光辐照过程中辐照中央的温度最高,辐照边缘具有较大的温度梯度;冷却至室温后,辐照中央存在较大的拉应力,辐照边缘存在较大的压应力,经过退火后残余应力明显减小。 相似文献
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SiO2和ZrO2薄膜光学性能的椭偏光谱测量 总被引:3,自引:1,他引:3
用溶胶-凝胶工艺在碱性催化条件下,采用旋转镀膜法在K9玻璃上分别制备了性能稳定的单层SiO2薄膜与单层ZrO2薄膜。用反射式椭圆偏振光谱仪测试了薄膜的椭偏参数,并用Cauchy模型对椭偏参数进行数据拟合,获得了溶胶-凝胶SiO2与ZrO2薄膜在300~800 nm波段的色散关系。用紫外-可见分光光度计测量了薄膜的透射率,并与用椭偏仪换算出来的结果相比较;用原子力显微镜观察了薄膜的表面微结构,并讨论表面微结构与薄膜光学常数之间的关系。分析结果表明,Cauchy模型能较好的描述溶胶-凝胶薄膜的光学性能,较详细的得到了薄膜的折射率,消光系数等光学常数随波长λ的变化规律;薄膜光学常数的大小与薄膜的微结构有关。 相似文献
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LiNbO3:Fe晶体光栅擦除特性 总被引:2,自引:1,他引:2
在光折变过程中,光波对掺杂中心的激发系数S是一个重要的物理量。为了求出光激发系数S对波长A的依赖,研究了在不同的擦除波长条件下,记录在光折变晶体LiNbO3:Fe中的光栅衰减特性。实验结果表明lnP(P为光擦除灵敏度)与擦除波长λ呈线性关系,即波长越短,光栅擦除越快,光擦除灵敏度越高。在单中心电子带传输模型的基础上,理论计算也证实了实验结果。利用带传输模型,给出了理论上光激发系数S对波长的指数依赖关系。同时微观量φμγ(φ为量子效率)也可由光栅擦除实验求出。 相似文献
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