ZnO:Al(AZO)薄膜制备工艺参数的正交优化设计

采用正交设计法,对溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的工艺参数进行了优化研究;确定了最佳工艺参数,为制备AZO薄膜的工业化控制提供了一种可行的方法。     

电子束蒸发沉积ZAO薄膜正交试验

采用电子束真空蒸发沉积薄膜的方法(EBED)制备了ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜.用正交试验法设计试验,并分析了制备ZAO薄膜的主要影响因素(沉积厚度、沉积速率、基片温度)对薄膜性能(透射率、电阻率)的作用.试验结果表明:采用EBED法沉积制备ZAO薄膜时,沉积速率控制为1nm/s、沉积厚度为800nm、基片温度为2 50℃,镀膜系统工作稳定,沉积薄膜的性能较好.     

溶胶-凝胶法制备AZO薄膜工艺参数的优化

采用正交设计法,对溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的工艺参数进行了优化研究,确定了最佳工艺参数,为制备AZO薄膜的工业化控制提供了一种可行的方法.     

基于单片机的交通灯模糊控制器研究

本文研究在十字路口设置车辆流量监测器件,获得车辆通过路口相关数据。通过模糊模型,对控制对象进行模糊化控制,经过模糊化理论计算,求出不同情况下控制量的大小,并提出以单片机为核心的模糊控制器设计思路。     

定量包装控制系统的设计与实现

目的提高定量包装机的包装精度。方法在现有定量包装机基础上,设计了以PLC作为控制器,以触摸屏TPC7062KS为显示操作屏的定量包装控制系统,直接获取包装系统的运行信息和各种数据,提高了包装系统的可靠性和可操作性。在分析传统方法不足的基础上,在梯形图程序中采用模糊PID控制算法进行闭环控制。结果通过多次试验,包装精度能够达到±0.2%。结论采用该控制方法,包装精度提高了,并且基本不会受到外界因素的影响。     

钛氧化物的蒸发特性

试验以Ti2O3、Ti3O5和TiO2作为初始膜料，在ZZS7OO—6／G型真空镀膜机上采用O^2-离子束辅助蒸发制备氧化钛薄膜。用XRD检测方法确定各种膜料和薄膜的相成分，并全面的分析了各种膜料的蒸发特性和薄膜；用分光光度计测量薄膜的透射率，并分析薄膜的光学性能。试验表明，在采用Ti2O3、Ti3O5和TiO2作为蒸发制备氧化钛薄膜时，在钛的氧化物中存在Ti3O5固态同一蒸发相；各种膜料在蒸发时，发生分解，熔池中的物质的成分逐渐转变并晟终完全成同一蒸发相成分。     

掺杂浓度对AZO薄膜结构和性能的影响

采用溶胶–凝胶工艺在玻璃基片上制备出Al3+掺杂型的ZnO(AZO)透明导电薄膜,对薄膜进行了XRD和SEM分析,并对其光电性能作了详细的研究。结果表明薄膜为纤锌矿型结构,呈c轴方向择优生长;薄膜的可见光透过率可达80%以上;Al3+掺杂型的ZnO透明导电薄膜的电阻率为1.5×10–2~8.2×10–2?·cm。     

溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜及其光电性能研究

采用溶胶-凝胶方法制备了AZO半导体透明导电薄膜,并研究了退火温度对其结构和性能的影响.结果表明:AZO薄膜的晶粒成等轴状,薄膜的电阻率在(2～8)×10-3 Ω·cm之间,平均透射率在80%以上.     

退火对真空蒸发Ti3O5制备光学薄膜性能的影响

采用真空蒸发法,以T i3O5为膜料分别在基片温度为200℃、250℃、300℃的条件下制备氧化钛光学薄膜,XRD结果显示,沉积态薄膜为无定形态,400℃退火后,均由无定形态向锐钛矿结构转变;不同基片温度下制备的氧化钛薄膜退火后,折射率均随基片温度的升高而增大;随着退火温度的升高,(101)晶相择优取向十分明显,结晶度增大;经过400℃、500℃、600℃退火后,薄膜折射率逐渐上升。     

金刚石表面化学镀镍沉积速度影响因素分析

研究了以硼氢化钠为还原剂的金刚石表面化学镀N i工艺,重点探讨了镀液主要工艺参数对沉积速度的影响,获得了最佳工艺条件:硼氢化钠1.0 g/L;氯化镍30 g/L;乙二胺60 g/L;温度85℃;pH值13,并用JSM-5610LV型扫描电镜观察了原始金刚石和镀覆后的形貌。