阳极氧化Al_2O_3膜/InP和自身氧化膜/InP的界面性质

研究了用阳极氧化法制备的Al_2O_3膜/InP和自身氧化膜/InP两种MIS结构的组分分布和电学性质,AES、I-V、C-V和DLTS等测试结果表明,Al_2O_3/InP结构的性能更为优越.用DLTS方法发现这两类样品都具有峰值能量为Ec-Es=0.5eV、俘获截面为～10~(-15)cm~2的连续分布的界面电子陷阱.认为该电子陷阱与磷空位缺陷有关.     

用于宽带光纤用户网的高速1.3μm InGaAsP/InP DH LED

本文设计并制作了带有集成透镜的高速1.3μm InGaAsP/InP DH LED.器件的调制带宽达425MHz,与梯度折射率多模光纤的耦合效率高达7.5％,适用于四次群以上的宽带光纤通讯系统,在未来的宽带ISDN中将发挥重要作用.     

1.3微米波长InGaAsP/InP双异质结面发光二极管

石英光纤在1.3μm波长处的损耗低达0.5dB/km,色散几乎为零。因此,工程实用系统广泛采用1.3μm波长的光纤传输系统。在可用的光源器件中,1.3μm面发光管是一种高可靠性、低成本的实用器件,能满足中、短距离光纤通信的要求。使用这种器件已建成了工作速率为274Mb/s、无中继传输距离8公里和400Mb/s、5公里的梯度多模光纤通信系统。近年来,具有1～2Gb/s超高速调制能力的面发光1.3     

我国光电子器件的发展方向和有关建议

本文提出了我国“九五”期间光电子器件的技术发展方向和一些重大举措施的建议。     

STUDY OF THE ANODIZATION OF Al FILM ON InP SUBSTRATE AND ITS PROPERTIES

The anodization of Al film on InP substrate and properties of anodic Al_2O_33/InPhave been investigated by AES,DLTS,I-V,C-V and ellipsometer.The results show that theanodic oxide Al_2O_3 has a permittivity of 11～12 and a resistivity of 1.3×10~(13) ohm-cm.Interfacestate density at Al_2O_3/InP is about 10~(11) cm~(-2)·eV~(-1).DLTS reveals that there is a continuouslydistributed interface electron traps at Al_2O_3/InP interface.Anodic Al_2O_3 exhibits good stabilityand electrical properties and could be used for passivation,diffusion mask and gate insulator,etc.     

外延迁移技术制作用于光电子单片集成的Si上GaAs／GaAlAsDHLED

描述了在国内首次采用外延迁移技术研制适合于制作光电子集成电路的硅上硬化镓双异质结发光二极管的工艺过程及实验结果。发光器件是在外延迁移以后流片制作的，克服了光子器件的对准问题，可与电子器件大规模集成。     

光纤通信用光电子器件的国内外概况

本文简要叙述国内外光纤通信用光电子器件的技术、市场和产业状况。