类金刚石薄膜的慢正电子分析

采用射频－直流等离子化学气相沉积法制备类金刚石薄膜,用慢正电子湮灭技术研究了类金刚石薄膜中缺陷的深度分布,并系统研究了工艺参数对类金刚石薄膜中缺陷浓度的影响．实验结果表明,单晶Si衬底具有很高的缺陷浓度,类金刚石薄膜中的缺陷浓度较低．且缺陷均匀分布,薄膜表面存在一缺陷浓度较高的薄层,而膜一基之间存在一很宽的界面层,界面层内缺陷浓度随离衬底表面距离的增加而线性降低,到达薄膜心部后,缺陷浓度趋于稳定．类金刚石薄膜的缺陷浓度和膜－基界面层宽度都随负偏压的升高呈先降低、后增加再降低的变化趋势．薄膜中的缺陷浓度随混合气体中C₂H₂含量的升高而单调增大,但C₂H₂含量对界面层宽度没有影响．     

碳纤维增强铜基（碳／铜）复合材料的研究现状与展望

概述了国内，外碳／铜复合材料制造工艺，碳纤维与铜合金粉末的混合；碳／铜复合材料的成型工艺等。     

光纤中色散的基本概念

衰耗、色散在光纤通信中是描述光纤传输特性的两个重要在光纤通信中，色散的总理２一直是限制光纤系统的设计、也是人们企盼解决的一个问题。本文着重阐述了在光纤中色散的定义，解决色散问题的工程意义、色散的种类、色散的表示法第一系列基本问题中所贯的物理概念。     

染色机数学模型及计算机模拟

本文根据纺织物染色工艺过程中所遵循的热量平衡和质量平衡基本关系,提出了纺织物染色过程实现微机数模控制的数学模型,并以国内典型的常温常压式染色机典型温度曲线为例,作了计算机数学模拟研究,获得了染色机升温、降温、保温等过程所需的加冷水量、蒸汽量、排水量随时间的变化关系曲线,为染色机实现微机数模控制提供了理论依据。     

a—C：H（N）薄膜的慢正电子分析

采用Ｃ２Ｈ２和Ｎ２的混合气体在单晶Ｓｉ衬底上用射频－直流等离子化学气相沉积法制备ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜,用Ｆｏｕｒｉｅｒ红外谱研究了ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜的结构。用慢正电子湮没技术研究了类金刚石薄膜中缺陷的深度分布以及Ｎ的百分含量对薄膜中缺陷浓度和缺陷类型的影响。Ｆｏｕｒｉｅｒ红外测试结果表明,ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜中氮含量随混合气体中Ｎ２百分含量的升高而增大,薄膜中碳氮原子形成Ｃ≡Ｎ键。慢正电子分析表     

平方型啁啾光纤光栅高阶色散补偿器的理论设计

对周期保持恒定,而其有效折射率大小随其长度按平方律变化的啁啾光 纤光栅提出了一个理论设计模型,从该模型出发,得到了光栅有效折射率分布函数与光栅色散量之间的关系,最后将该模型的计算结果与传输矩阵法的计算机模拟结果进行了比较,二者基本上一致。     

线性啁啾布拉格光纤光栅的色散补偿特性研究

本文将全面分析Ｃｈｉｒｐｅｄ Ｂｒａｇｇ光纤光栅的色散特性，并对色散特性作一定性分析，利用耦合模方程导出ＣｈｉｒｐｅｄＢｒａｇｇ光栅的反射率方程，从而推导出Ｃｈｉｒｐｅｄ Ｂｒａｇｇ光纤光栅的色散计算公式，然后，引入微波领域的“品质因素”概念，从而量化了色散补偿器的补偿能力。     

Bragg光纤光栅色散补偿的理论分析与研究

阐明了光纤的色散即脉冲的展宽这一基本概念；从光的波动理论出发，导出了Bragg光纤光栅色散的基本方程；讨论了Bragg光纤光栅的色散补偿特性和它的局限性。