三峡库区梅溪河河口干支流界面水流特征

通过对三峡库区中部典型支流梅溪河库湾水动力参数及水体温度、浊度数据进行分析,研究水库运行各时期梅溪河河口干支流界面水流特性,探讨其影响因素以及水交换对库湾的影响。结果表明:梅溪河河口双向水流特征明显,在温差异重流、干流惯性作用以及库区水位变动等因素影响下,干支流界面水流强度、进出水体间界面结构及形态在不同运行期有显著差异;由于双向水流结构的存在,尽管梅溪河河口干支流界面净流量较小(多小于100 m~3/s),但是干支流水体的交换量相对显著,介于314.17~535.26 m~3/s之间,可达净流量的4~40倍;在净流量最小的低水位运行期,干流倒灌水体基本能到达支流库湾常年回水区的末端。     

基于TDOA和SDOA的宽带辐射源双机无源定位算法

针对双无人机无源雷达对宽带辐射源目标的直接无源定位(DPD)初始值敏感,提出一种基于小生境拓扑结构改进矢量粒子群算法(NTVIPSO)的直接无源定位算法。本文算法将直接法和间接法结合起来,依靠间接法中尺度差参数构造约束条件,利用小生境矢量粒子群求解得到精确的位置。仿真结果表明本文粒子群算法优于矢量粒子群算法和邻域拓扑结构粒子群算法。提出的存在扰动情况下尺度差约束条件下的直接无源定算法精确度低于直接法,但优于间接法;计算复杂度低于直接法,大于间接法。     

基于景物散焦图像的距离测量

计算机视觉中,景物三维重建的关键是从景物的图像中计算出景物目标到摄像机的距离,提出了一种基于散焦图像计算景物距离的新方法。该方法利用远心光学镜头拍摄景物图像,通过改变像检测到镜头的距离获得同一景物的两幅散焦程度不同的图像,将获得灰度图像转换成梯度图像。利用矩不变原理计算梯度图像中边缘区的大小与整个图像匹配大小的比Pe,根据两幅图像的Pe值计算出景物的深度。实验结果表明了该方法的有效性,并对该方法产生的误差进行了分析。     

2012年“华夏建设科学技术奖”获奖项目(三等奖) 跨座式单轨交通工程道岔设备系统安装工艺技术

一、立项背景随着经济的高速发展,为解决城市化进程中的交通制约因素,我国从国外引进了跨座式单轨交通这种安全快捷的城市交通形式。其中道岔设备作为机电一体化的高新设备系统,是保证该交通形式高安全、高可靠性运行的三大关键系统之一,我国在引进、消化、吸收的基础上已步入了国产化。开展本工艺技术的研究对保证道岔设备系统的安装质量、缩短施工周期、确保单轨交     

滑坡地下水监测中水分含量仪安装技术研究

通过某滑坡安装实例,介绍了水分含量仪的安装流程和方式,包括其安装准备阶段、安装阶段及运行阶段的工作内容及方式,为滑坡稳定性研究提供可靠的数据支撑。     

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的可靠性

利用正向肖特基结结电压与温度的线性关系,对AlGaN/GaN HEMT器件有源区瞬态温升进行了测量,其热阻为19.6℃/W。比较了不同测温方法和外界环境对器件沟道温升的影响。并研究了栅极施加反向直流阶梯应力对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响,结果表明器件在应力作用下电学参数退化,大信号寄生源/漏极电阻RS/RD和栅源正向I-V特性在击穿后能得到恢复。AlGaN势垒层陷阱俘获电子和电子填充栅极表面态是器件参数退化的原因,表面态恢复是器件参数恢复的主要原因。     

结构函数法评估漏源电压对AlGaAs/InGaAs PHEMTs热阻的影响

本文通过实验测量和仿真研究了不同漏源电压对AlGaAs/InGaAs PHEMTs热阻的影响。结果表明,等功率下,热阻随着漏源电压的减小呈下降趋势,并且小电压大电流下热阻值最小。应用结构函数法可以分别提取出芯片级和封装级的热阻值。模拟结果表明,沟道中电场最强的地方出现在靠近漏一侧的栅边缘,相对较小的漏源电压产生的电场也较低,这就是导致等功率下热阻随漏源电压下降的原因。     

Evaluation of the drain-source voltage effect on AIGaAs/InGaAs PHEMTs thermal resistance by the structure function method

The effect of drain-source voltage on A1GaAs/InGaAs PHEMTs thermal resistance is studied by experimental measuring and simulation. The result shows that A1GaAs/InGaAs PHEMTs thermal resistance presents a downward trend under the same power dissipation when the drain-source voltage （VDs） is decreased. Moreover, the relatively low VDS and large drain-source current （IDs） result in a lower thermal resistance. The chip-level and package-level thermal resistance have been extracted by the structure function method. The simulation result indicated that the high electric field occurs at the gate contact where the temperature rise occurs. A relatively low VDS leads to a relatively low electric field, which leads to the decline of the thermal resistance.     

纳米TiO2光催化氧化降解活性染料研究

采用纳米级TiO2悬浮法光催化氧化处理活性染料K-2G水溶液,讨论了pH值、TiO2用量、染料浓度、处理时间等因素对处理效果的影响.实验发现:在溶液pH值为中性、染料浓度不大、纳米TiO2用量适当的情况下光照1h,即可达到较好的降解效果.纳米TiO2对活性染料脱色效果较好、降解彻底、能将活性染料基本降解为无机物,不会造成二次污染,是一种值得深入研究并推广应用的印染废水处理方法.