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硅片直径的不断增大,特征线宽的不断减小,吸除器件有源区域内的金属杂质至关重要。传统的内吸杂已经不能完全满足器件工艺的要求,因此快速热处理技术被引入到直拉硅片的内吸杂工艺中。快速热处理可以使空住在硅中按深度分布,在后续的热处理中促进氧沉淀的形成,从而得到理想的清洁区和氧沉淀密度。探索快速热处理的条件以达到良好的内吸杂效果,具有重要的实用意义。 相似文献
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利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和微缺陷,其中球形微缺陷和胞状位错尤为常见.本文对样品中缺陷的类型、密度和分布等情况进行了描述和讨论. 相似文献
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