LaFeO3栅膜FET气体传感器的研究

本文采用溶胶－凝胶技术制备ＬａＦｅＯ３纳米晶薄膜，并摸索出该薄膜的光刻方法，将这一成膜技术与集成电路平面工艺相结构，首次研制出了纳米晶薄膜作为栅极的场效应晶体管气体传感器，它对乙醇具有较高的灵敏度和良好的选择性。     

一种新的大功率电力半导体器件的烧结工艺

在现有的硅－铝－钼（Ｓｉ－Ａｌ－Ｍｏ）烧结工艺的基础上，引入了铬（Ｃｒ），镍（Ｎｉ），银（Ａｇ）金属阻挡层，并将这一新的金属阻挡层烧结工艺应用到双向晶闸管的生产中。结果表明，该工艺能得到浅而平坦的烧结合金结，并能改善器件的反向阻断特性和通态特性的一致性，提高器件的成品率。     

斩控式调压技术在道路照明节能中的应用

城市道路照明的快速发展对照明节能提出了要求。传统的可控硅相控调压存在谐波大、对电网污染严重、对灯具的寿命有影响等缺点,变压器自耦调压存在只能固定档位降压,降压过程中容易造成灯具"闪灭"的缺点。文章设计了一种基于IGBT的斩控式调压装置,该装置具有纯电力电子化、无级平滑调压、可输出正弦波且优先保障照明的特点。根据实际测试数据,该装置在具有较高节电率的同时,也保障了道路照明的效果。     

LaFeO_3 栅膜 FET 气体传感器的研究

本文采用溶胶－凝胶技术制备ＬａＰｅＯ３纳米晶薄膜，并摸索出该薄膜的光刻方法，将这一成膜技术与集成电路平面工艺相结合，首次研制出了纳米晶薄膜作为栅极的场效应晶体管气体传感器，它对乙醇具有较高的灵敏度和良好的选择性．     

中心锥形槽状光敏门极的200A，1200V光控双向晶闸管的研制

本文具体描述了锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的设计思想，介绍了该新型结构器件的关键的生产工艺，并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究．研制成功的直径为３０ｍｍ，电流容量为２００Ａ，耐压为１２００Ｖ；的光控双向晶闸管的最小光触发功率小于１３ｍｗ，通态峰值压降小于１．５Ｖ，换向ｄｖ／ｄｔ耐量大于１００Ｖ／μｓ，换向ｄｉ／ｄｔ耐量大于５０Ａ／μｓ．     

500A,1200V光控双向晶闸管的研制

本文具体描述了中心锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的结构特点，介绍了该新型结构器件的关键生产工艺，并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究。研制成功的直径为４０ｍｍ，电流宣传品量为５００Ａ，耐压为１２００Ｖ的光控双向晶闸管的最小光触发功率小于１５ｍＷ，动态峰值压降小于１．６Ｖ，换向ｄｖ／ｄｔ耐量大于１００Ｖ／μｓ，换向ｄｉ／ｄｔ耐量大于５０Ａ／μｓ。     

IGBT薄层电极脱落机理分析与寿命预测方法

芯片表面电极薄层脱落是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)封装模块的一种常见失效现象,因此对其失效机理分析与寿命的有效预测是整体器件可靠性评估中的一个研究要点。首先通过仿真分析了芯片表面电极的应力应变随功率循环载荷的变化情况,发现芯片表面铝电极薄层与引线的键合位置附近区域存在应力集中情况,且应力集中的位置与实验中失效样品的断裂位置一致。此外还发现应力集中区仅在起初的短时间内存在一个逐渐减小的塑性应变幅,随后由于材料硬化,塑性屈服点上移,直至失效塑性应变都不再变化,因此可以推测材料的断裂失效是由于稳定后的塑性应变和循环应力综合导致的,鉴于上述分析,提出了一种同时考虑材料硬化和应力疲劳的寿命预测公式,并采用其他两种条件下的实验寿命值评估了此公式的准确性,总体平均误差为1%。     

开管镓扩散技术改善快速晶闸管通态特性

对提高快速晶闸管发射区ne与基区Pb杂质浓度比值Ne／Nb，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ga扩散技术的特点，并与闭管Ga扩散和B－A1双质P到扩散方式进行了比较。实验证明，用开管Ga扩散工艺制造快速晶闸管，可明显改善器件的通态伏安特性。