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数十年来,调幅同步解调技术一直为人们所重视.但是,只有当价格低廉的集成锁相环(PLL)出现之后,才使得这种技术能够广泛应用.下面以国产单片模拟集成PLLKD801为例,说明集成PLL的应用. 相似文献
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采用微电子平面工艺,高真空电子束蒸发金属Au做肖特基接触,多层金属Ni、Ti、Ag合金在背底上做欧姆接触,制作出Au/n-4H-SiC肖特基势垒紫外光电二极管(UV-SBD).测试并分析了在不同温度下该器件的I-V特性及光谱响应特性.实验表明:器件高温下有较低的反向漏电流,正向开启电压下降速度为-1.2 mV/℃;波长响应范围为200~400 nm,在23℃和260℃时,光谱响应峰值分别出现在320 nm和330 nm,每100℃波长红移约4 nm;响应灵敏度随温度升高而降低,平均每100℃降低2倍. 相似文献
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n-ZnO/p-Si异质结UV增强型光电探测器的研究 总被引:8,自引:2,他引:8
采用平面工艺,在p+-Si背底上电子束蒸发Al制作欧姆电极,在p-Si外延层上溅射掺Al的 ZnO薄膜,再蒸发Al作有源区欧姆电极,研制成n-ZnO/p-Si异质结UV(ultraviolet)增强型光电探测器。测试结果表明:器件明显增强了200~400 nm紫外光的响应,同时保持了传统的Si探测器对波长大于400 nm波段的光谱响应,在330,420,468、525 nm附近有四个明显的光谱峰值响应。器件光致发光谱(PL)在371 nm处有发光峰值。 相似文献
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采用微电子平面工艺,用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au(或Ni)形成肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金在背底作欧姆接触,制备出Au/n-4H-SiC和Ni/n-4H-SiC肖特基紫外光电探测器.测试分析了这两种器件的光谱响应特性及其I-V特性.其光谱响应范围均是200~400 nm,室温无偏压下,Au/n-4H-SiC的光谱响应峰值在310 nm,光谱响应半宽是73 nm,室温7 V偏压下光谱响应峰值86.72 mA/W,量子效率可达37.15%,Ni/n-4H-SiC相应的参数分别为300 nm、83 nm、45.84 mA/W及18.98%.Au/n-4H-SiC室温下正向开启电压0.81 V,Ni/n-4H-SiC是0.52 V,两者反向击穿电压均大于200 V,反向漏电流小于1×10-10 A. 相似文献