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分子束外延HgCdTe材料生长参数的实时监测研究 总被引:2,自引:1,他引:1
报道了用椭圆偏振技术和红外辐射测温技术对HgCdTe生长关键参数实时监测的结果,建立了HgCdTe材料在生长温度下的标准光学常数数据库,在研究中对生长过程中材料的发射率以及红外辐射强度进行了理论分析,为生长温度的实时精确控制提供了理论依据,并在实验上获得了小于±1℃的生长温度控制精度. 相似文献
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从柱形流变模型出发讨论了压焊引接电极时受压面的压强分布,压力损伤半径和深度以及超声压焊时的损伤,并讨论了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的超声压焊的压力损伤和In球熔焊的Au丝力损伤。 相似文献
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在77K和0—50kbar静压范围内研究了阱宽分别为m=4.8,12个单原子层的(CdTe)_m/(ZnTe)_n应变量子阱的静压光致发光。在常压下,m=8和12的量子阱的发光峰比m=4的量子阱的发光峰显著变宽。表明在这两个阱中应变已发生弛豫。用Kronig-Penney模型计算的峰值能量证实了这一点。在所测静压范围内峰宽无明显增加。它们的压力系数从m=12的6.81meV/kbar增加到m=4的8.24meV/kbar。计算表明,势垒高度随压力增加而增加是使压力系数随阱宽减小而增加的主要原因。 相似文献
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对用原子层外延方法,在[001]晶向GaAs衬底上生长的[(Cdse)m(Znse)n]p-ZnSe应变量子阱结构,在10~300K温度范围内测量了喇曼散射光谱,观察到两种类ZnSeLO声子限制模.利用改变样品温度和入射光能量实现了共振喇曼散射,观察到高达7阶的类ZnSeLO声子模.并讨论了多声子喇曼散射和热萤光过程的区别. 相似文献
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本文报道对Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te单晶以及p-PbSnTe/p~ -PbSnTe和n-PbTe/p-PbSnTe/p~ -PbSnTe液相外延层进行观察得到的等离子体(Plasma)反射边的温度漂移现象。认为这是由于电极化有效质量m_s和散射弛豫时间τ共同影响的结果,其中m_s随温度的升高而变大,起着主要的作用。本文最后对浓度为1.45×10~(19)/cm~3的单晶样品进行了模拟计算,在计算光谱与实验光谱达到一致的情况下,得到了m_s,τ随温度的变化曲线。 相似文献
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在静压和液氮温度下观察到(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中重空穴激子的复合发光和多达4阶的类ZnSeLO多声子喇曼散射,并观察到厚ZnSe势垒层的带边发光和限制在厚势垒层中的类ZnSeLO声子散射.结果表明,加压后(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中的类ZnSe的1LO和2LO声子模频率分别以3.76和7.11cm-1/GPa的速率向高频方向移动,超晶格阱层光致发光峰的压力系数为59.8meV/GPa.与(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格共振时的类ZnSe1LO声子模频率比与ZnSe势垒层共振时的类ZnSe1LO声子模频率低2.0cm-1,反映了(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中LO声子的限制效应 相似文献
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CdTe/ZnTe应变量子阱的静压光致发光研究, 总被引:1,自引:0,他引:1
在77K和0—50kbar静压范围内研究了阱宽分别为m=4.8,12个单原子层的(CdTe)_m/(ZnTe)_n应变量子阱的静压光致发光。在常压下,m=8和12的量子阱的发光峰比m=4的量子阱的发光峰显著变宽。表明在这两个阱中应变已发生弛豫。用Kronig-Penney模型计算的峰值能量证实了这一点。在所测静压范围内峰宽无明显增加。它们的压力系数从m=12的6.81meV/kbar增加到m=4的8.24meV/kbar。计算表明,势垒高度随压力增加而增加是使压力系数随阱宽减小而增加的主要原因。 相似文献